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Infineon IRF2807PBF 48HRS

The IRF2807PBF is a MOSFET component engineered for robust current handling

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon

製造元部品 #: IRF2807PBF

データシート: IRF2807PBF Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-220-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 2902 個、新しいオリジナル

製品の種類: トランジスタ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量 単価 外部価格
1 $0.695 $0.695
10 $0.583 $5.830
50 $0.468 $23.400
100 $0.413 $41.300
500 $0.379 $189.500
1000 $0.361 $361.000

In Stock:2902 PCS

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IRF2807PBF 概要

The IRF2807PBF is a power MOSFET transistor manufactured by Infineon Technologies. It features a drain-source voltage (Vdss) of 75V and a continuous drain current (Id) of 82A. This MOSFET is designed for high power applications, such as motor controls, power supplies, and inverters.The IRF2807PBF has a low on-resistance, typically 30 mΩ, which helps in reducing power losses and increasing efficiency in high current applications. It also has a fast switching speed, with a typical rise time of 30ns and fall time of 43ns, making it suitable for high frequency switching applications.This MOSFET comes in a TO-220 package, which provides good thermal performance for dissipating heat generated during operation. It has a junction-to-ambient thermal resistance of 62°C/W, ensuring reliable operation even at high power levels.The IRF2807PBF is RoHS compliant, making it environmentally friendly and suitable for use in various electronic products.

irf2807pbf

特徴

  • Enhanced power MOSFET
  • Voltage rating: 75V
  • Continuous drain current: 82A
  • Low on-resistance: 8.0mΩ
  • Fast switching performance
  • Designed for high power applications
  • TO-220AB package
  • RoHS compliant
IRF2807PBF

応用

  • Switching power supplies
  • Motor control
  • DC-DC and AC-DC converters
  • Lighting applications
  • Automotive systems
  • Industrial automation
  • Robotics
  • Renewable energy
  • Battery management systems
  • Telecommunications

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 75 V
Id - Continuous Drain Current 82 A Rds On - Drain-Source Resistance 13 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
Qg - Gate Charge 106.7 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 200 W
Channel Mode Enhancement Brand Infineon Technologies
Configuration Single Height 15.65 mm
Length 10 mm Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 1000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Width 4.4 mm
Unit Weight 0.068784 oz

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

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電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The IRF2807PBF is a high-power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for efficient switching applications. It has a maximum drain current rating of 82A and a voltage rating of 75V, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-current applications. The chip offers low on-resistance and high switching speed, providing improved performance and reduced power losses.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the IRF2807PBF chip include Fairchild Semiconductor's FDPF33N25, STMicroelectronics' STP33N25, and Infineon Technologies' IPP037N10N3 G. These chips have similar power MOSFET specifications and can be used as alternative options in various applications.
  • Features

    The features of the IRF2807PBF include a high current rating of 82A, low on-resistance of 0.028Ω, fast switching speed, and a voltage rating of 75V. It also has a TO-220 package, making it suitable for various power applications such as motor control, power supplies, and inverters.
  • Pinout

    The IRF2807PBF is a power MOSFET transistor with a TO-220 package. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the switching action, while the Drain pin carries the current, and the Source pin is connected to the ground. Its pin count is 3.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IRF2807PBF is Infineon Technologies. Infineon Technologies is a global semiconductor company that specializes in manufacturing and providing a wide range of products for various industries, including automotive, industrial, power, and consumer electronics.
  • Application Field

    The IRF2807PBF is a high-power N-channel MOSFET that can be used in various applications such as switch mode power supplies, motor control, solar inverters, and uninterruptible power supplies (UPS). It is suitable for high current and high voltage applications due to its low on-resistance and high power dissipation capabilities.
  • Package

    The IRF2807PBF chip is available in a TO-220AB package type, which is a standard through-hole package. It has a form of a metal tab on top for heat dissipation and three leads for connectivity. The dimensions of the package are approximately 10.31mm x 9.54mm x 4.57mm.

データシート PDF

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