Infineon IRF1010EPBF
N-Channel 60 V 84A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
ブランド: Infineon Technologies Corporation
製造元部品 #: IRF1010EPBF
データシート: IRF1010EPBF Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: TO-220AB
製品の種類: トランジスタ
IRF1010EPBF 概要
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
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RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The IRF1010EPBF chip is a power MOSFET designed for efficient power management applications. It has a low on-state resistance and high current rating, making it suitable for various electrical systems and devices. The chip is commonly used in automotive, industrial, and consumer applications to control and switch high-power loads.
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Equivalent
Some equivalent products of the IRF1010EPBF chip include the IRF1010E, IRF1010EFPBF, IRF1010ESTRLPBF, and IRF1010EPBF-ND. -
Features
The IRF1010EPBF is a N-channel MOSFET transistor. It has a drain-source voltage rating of 55V, a continuous drain current of 84A, and a low on-resistance of 14mΩ. It is designed for high-speed switching applications and has a compact TO-220AB package. -
Pinout
The IRF1010EPBF is a power MOSFET with a TO-220AB packaging. It has three pins: the gate (G), the drain (D), and the source (S). The gate pin is used to control the current flow between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRF1010EPBF is Infineon Technologies. It is a multinational semiconductor company that specializes in manufacturing various integrated circuits and solutions for various industries, including automotive, industrial, and power electronics. -
Application Field
The IRF1010EPBF is a power MOSFET that is commonly used in applications requiring high power and high voltage switching. Some potential application areas include power supplies, motor control, robotics, audio amplifiers, and automotive systems. -
Package
The IRF1010EPBF chip is a power MOSFET. It comes in a TO-220AB package, which is a through-hole package type commonly used for high-power applications. The package has a size of approximately 10.67mm x 9.53mm x 4.57mm.
データシート PDF
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