画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
Infineon IPB180N06S4-H1
MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
ブランド: Infineon
製造元部品 #: IPB180N06S4-H1
データシート: IPB180N06S4-H1 Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: D2PAK (PG-TO263-7)
RoHS ステータス:
在庫状況: 3481 個、新しいオリジナル
製品の種類: トランジスタ
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $5.712 | $5.712 |
| 200 | $2.211 | $442.200 |
| 500 | $2.133 | $1066.500 |
| 1000 | $2.095 | $2095.000 |
In Stock:3481 PCS
IPB180N06S4-H1 概要
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
特徴
- Drain-Source Voltage (Vdss) of 60V
- Continuous Drain Current (Id) of 180A
- Low On-Resistance (Rds(on)) of 4.4mΩ
- Fast switching speed
- Avalanche rated
応用
- Power supplies
- DC-DC converters
- Motor control
- Solar inverters
- Uninterruptible Power Supplies (UPS)
- Battery management systems
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| IDpuls max | 720.0 A | RthJC max | 0.6 K/W |
| Ptot max | 250.0 W | Qualification | Automotive |
| Package | D2PAK (PG-TO263-7) | VDS max | 60.0 V |
| RDS (on) max | 1.7 mΩ | VGS(th) max | 4.0 V |
| QG max | 208.0 nC | Polarity | N |
| ID max | 180.0 A | Technology | OptiMOS™-T2 |
| VGS(th) min | 2.0 V | Operating Temperature max | 175.0 °C |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
同等部品
のために IPB180N06S4-H1 コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:
部品番号
ブランド
パッケージ
説明
部品番号 : IRFP4568PBF
ブランド :
パッケージ : TO-247
説明 : N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V HEXFET, 3-Pin TO-247AC Infineon
部品番号 : STP300N06L
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : PSMN4R7-60PS
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : IRFP4668PBF
ブランド :
パッケージ : TO-247
説明 : Single N-Channel 200 V 520 W 161 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-247AC
部品番号 : IPP04N06LA
ブランド :
パッケージ :
説明 :
パーツポイント
-
The IPB180N06S4-H1 chip is a power mosfet transistor manufactured by infineon technologies. it is designed for high-current applications and operates at low voltages. the chip offers low on-resistance and has a high current capability, making it suitable for power conversion systems. it is commonly used in a variety of electronic devices such as power supplies, motor drives, and inverters, among others.
-
Equivalent
There are no direct equivalent products for the IPB180N06S4-H1 chip. however, similar alternatives for this chip include infineon's ipb180n06s4l-20 and ipb180n06s4l-22. -
Features
The main features of the IPB180N06S4-H1 are: 1. n-channel mosfet 2. high power handling capability (180a) 3. low on-resistance (6mω) 4. high-speed switching 5. rohs compliant 6. suitable for various applications such as power supplies, motor control, and lighting. -
Pinout
The IPB180N06S4-H1 has 7 pins and functions as a power mosfet transistor. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPB180N06S4-H1 is infineon technologies ag. infineon is a german semiconductor manufacturing company that specializes in the production of various electronic components and systems for various industries like automotive, industrial, and consumer electronics. they are known for their expertise in power semiconductor solutions, microcontrollers, and sensors. -
Application Field
The IPB180N06S4-H1 is a power mosfet transistor primarily used in applications requiring high power and low on-resistance. it is commonly used in power supplies, motor control circuits, led lighting, solar inverters, and other high-power switching applications. -
Package
The package type of the IPB180N06S4-H1 chip is a to-263-7 (d2pak-7), the form is a single die, and the size is 10.3mm x 11.8mm x 4.6mm.
データシート PDF
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Infineon Technologies Corporation
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