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IGW75N60T

Name: IGW75N60T
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (10 reviews)

Insulated Gate Bipolar Transistor Chip, N-Channel, 600 Volts, 150 Amps, 428 Watts, TO-247 Package, Tube Packaging

ブランド: Infineon Technologies

製造元部品 #: IGW75N60T

データシート: IGW75N60T データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,925 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$8.144	$8.144
10	$7.759	$77.590
30	$7.526	$225.780
100	$7.330	$733.000

在庫あり: 7,925 PCS

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IGW75N60T 概要

Hard-switching 600 V, 75 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Series	TrenchStop®	Package	Tube
Product Status	Active	IGBT Type	Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V	Current - Collector (Ic) (Max)	150 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	225 A	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 75A
Power - Max	428 W	Switching Energy	4.5mJ
Input Type	Standard	Gate Charge	470 nC
Td (on/off) @ 25°C	33ns/330ns	Test Condition	400V, 75A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3	Supplier Device Package	PG-TO247-3-1
Base Product Number	IGW75N60

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

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支払条件		ハンドフィー
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	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IGW75N60T is a high-power insulated-gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for applications requiring high efficiency and reliability. It features a high current rating of 75A and a voltage rating of 600V, making it suitable for use in power electronics, motor drives, and energy conversion systems. The chip's insulated gate structure provides improved performance and reliability compared to traditional bipolar transistors.
Equivalent

The equivalent products of IGW75N60T chip are Infineon/IRGP4062DPbF, Fairchild/AOI75N60, TO-3P, and 650V, 120A, Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) modules. These products have similar specifications and can be used as replacements for the IGW75N60T chip.
Features

1. High voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) 2. Low on-state voltage drop for high efficiency 3. Low switching losses for improved performance 4. Fast switching speed for high frequency applications 5. Integrated anti-parallel diode for reliable operation 6. High surge current capability 7. 75A/600V rating for industrial applications.
Pinout

The IGW75N60T is a IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a TO-247 package. It has 3 pins: Gate (G), Collector (C), and Emitter (E). The pinout is Gate (G) = pin 1, Collector (C) = pin 2, Emitter (E) = pin 3.
Manufacturer

The manufacturer of the IGW75N60T is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon Technologies AG is a global leader in the semiconductor industry with a focus on technologies for automotive, industrial, and power management applications.
Application Field

IGW75N60T is commonly used in applications such as induction heating, welding, and motor control due to its high voltage and current capabilities. It is also utilized in power supplies, inverters, and solar inverters for its efficient switching performance and low conduction losses.
Package

The IGW75N60T chip comes in a TO-247 package type. It is in a standard form of a single insulated gate bipolar transistor (IGBT). The size of the chip is approximately 16.5mm x 21.5mm x 4.7mm.