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NTMFS5C604NLT1G

Name: NTMFS5C604NLT1G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Single N−Channel Power MOSFET 60V, 272A, 1.2 mΩ

ブランド: onsemi

製造元部品 #: NTMFS5C604NLT1G

データシート: NTMFS5C604NLT1G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: DFN5

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,861 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NTMFS5C604NLT1G 概要

The NTMFS5C604NLT1G is a power MOSFET transistor with an N-channel configuration, designed for high current applications. With a continuous drain current rating of 276A and a drain-source voltage of 60V, this transistor is capable of handling heavy loads and providing efficient power delivery. The on-resistance of the NTMFS5C604NLT1G is specified at 930µohm, ensuring minimal power loss and heat dissipation during operation. This low on-resistance is achieved with a test voltage of 10V, while the threshold voltage required to turn on the transistor is 2V

特徴

High surge capability
Low input impedance
Rugged mechanical construction
Suitable for medical equipment

応用

Smart Home Devices
Renewable Energy Sources
Power Distribution Units

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer	onsemi	Product Category	MOSFET
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	DFN-5
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	287 A
Rds On - Drain-Source Resistance	1.2 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	120 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	200 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	onsemi	Configuration	Single
Fall Time	81.3 ns	Forward Transconductance - Min	180 S
Height	1 mm	Length	5.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	79.1 ns
Factory Pack Quantity	1500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	57.8 ns
Typical Turn-On Delay Time	21.8 ns	Width	4.9 mm
Unit Weight	0.006173 oz

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