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ON FDS3890

Name: FDS3890
Rating: 4.5 (5 reviews)

Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R

ブランド: ON Semiconductor, LLC

製造元部品 #: FDS3890

データシート: FDS3890 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: SOIC-8

製品の種類: FET, MOSFET Arrays

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,208 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDS3890 概要

The FDS3890 is a high-performance dual N-channel MOSFET suitable for a wide range of applications. It has a continuous drain current rating of 4.7A and a maximum drain-source voltage of 80V, making it ideal for various power management tasks. With an on-resistance Rds(on) of 34mohm at a test voltage Vgs of 10V, the FDS3890 offers low power dissipation and efficient operation. The threshold voltage Vgs typ of 2.3V ensures precise control, while the 8-pin SOIC package makes it easy to integrate into different circuit designs. The FDS3890 has a power dissipation rating of 2W and can operate in temperatures ranging from -55°C to +175°C, making it suitable for use in harsh environments. It is classified as MSL 1 - Unlimited, indicating that it has no restrictions on moisture sensitivity, and it does not contain any SVHC (Substances of Very High Concern), making it compliant with environmental regulations

特徴

6.5A continuous current
25mΩ RDS(on)
4V Gate Source

応用

High quality and reliable
Works well in any situation
Highly recommended product

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Source Content uid	FDS3890	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Package Description	SO-8	Manufacturer Package Code	751EB
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	50 Weeks	Samacsys Manufacturer	onsemi
Avalanche Energy Rating (Eas)	175 mJ	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	80 V	Drain Current-Max (ID)	4.7 A
Drain-source On Resistance-Max	0.044 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-G8	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	2
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	2 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	20 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
feature-category	Power MOSFET	feature-material
feature-process-technology	TMOS	feature-configuration	Dual Dual Drain
feature-channel-mode	Enhancement	feature-channel-type	N
feature-number-of-elements-per-chip	2	feature-maximum-drain-source-voltage-v	80
feature-maximum-gate-source-voltage-v	±20	feature-maximum-gate-threshold-voltage-v
feature-maximum-continuous-drain-current-a	4.7	feature-maximum-drain-source-resistance-mohm	44@10V
feature-typical-gate-charge-vgs-nc	25@10V	feature-typical-gate-charge-10v-nc	25
feature-typical-input-capacitance-vds-pf	1180@40V	feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw	2000	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	8
feature-supplier-package	SOIC	feature-standard-package-name1	SO
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	No

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