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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ON FDMS3669S

Name: FDMS3669S
Rating: 4.5 (5 reviews)

FDMS3669S - MOSFET featuring Asymmetric Dual N-Channel Power Trench technology for 30V applications

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: FDMS3669S

データシート: FDMS3669S Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: Power-56-8

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 2769 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDMS3669S 概要

This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

特徴

Q1: N-Channel
Max r_DS(on) = 10 mΩ at V_GS= 10 V, I_D = 13 A
Max r_DS(on) = 14.5 mΩ at V_GS= 4.5 V, I_D = 10 A
Q2: N-Channel
Max r_DS(on)= 5 mΩ at V_GS = 10 V, I_D= 18 A
Max r_DS(on) = 5.2 mΩ at V_GS = 4.5 V, I_D = 17 A
Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing
RoHS Compliant

応用

Notebook PC

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	Power-56-8	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	60 A	Rds On - Drain-Source Resistance	10 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	34 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	Power Stage PowerTrench
Series	FDMS3669S	Brand	onsemi / Fairchild
Configuration	Dual	Fall Time	3 ns
Forward Transconductance - Min	113 S	Height	1.1 mm
Length	6 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	3 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	24 ns	Typical Turn-On Delay Time	9 ns
Width	5 mm

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

FDMS3669S is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip commonly used in electronic devices. It is known for its efficient power management and low on-resistance, allowing for high-performance operation while minimizing power loss. The chip is designed to improve the overall power efficiency of electronic systems, making it suitable for applications such as mobile devices, laptops, and various consumer electronics.
Equivalent

The equivalent products of the FDMS3669S chip include the AON6428, AON6418, and AON6403.
Features

The FDMS3669S is a power MOSFET that has a maximum drain-source voltage rating of 30V and a maximum drain current rating of 80A. It features a low on-resistance, fast switching speed, and a compact surface-mount package. It is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and automotive systems.
Pinout

The FDMS3669S is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. Its pin count is 8, with 4 pins for each MOSFET: drain (D), source (S), gate (G), and body (B). This MOSFET is used for power management applications and provides low on-resistance and high power density.
Manufacturer

The manufacturer of the FDMS3669S is Fairchild Semiconductor. It is a semiconductor manufacturing company that specializes in the design, development, and production of integrated circuits and power devices for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

The FDMS3669S is a power stage module designed for DC-DC applications. Some application areas include power distribution systems, telecommunications, industrial equipment, automotive, and consumer electronics where high power density and efficiency are required. It is commonly used in power management systems for voltage regulation and conversion purposes.
Package

The FDMS3669S chip is in a Power56 package type, with a form that is surface mount. Its size is 8.88mm x 7.06mm.