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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ON FDG1024NZ

Name: FDG1024NZ
Rating: 4.5 (5 reviews)

These MOSFETs offer efficient power handling capabilities with a compact SC-88-6 package design, making them ideal for space-constrained PCB layouts

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: FDG1024NZ

データシート: FDG1024NZ Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-323-6

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 2388 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDG1024NZ 概要

This dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.

特徴

Max r_DS(on) = 175 mO at V_GS = 4.5 V, I_D = 1.2 A
Max r_DS(on) = 215 mO at V_GS = 2.5 V, I_D = 1.0 A
Max r_DS(on) = 270 mO at V_GS = 1.8 V, I_D = 0.9 A
Max r_DS(on) = 389 mO at V_GS = 1.5 V, I_D = 0.8 A
HBM ESD protection level >2 kV (Note 3)
Very low level gate drive requirements allowing operation in 1.5 V circuits (V_GS(th) < 1 V)
Very small package outline SC70-6
RoHS Compliant

応用

This product is general usage and suitable for many different applications.

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-323-6	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	1.2 A	Rds On - Drain-Source Resistance	321 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	400 mV
Qg - Gate Charge	2.6 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	360 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	PowerTrench
Series	FDG1024NZ	Brand	onsemi / Fairchild
Configuration	Dual	Forward Transconductance - Min	4 S
Height	1.1 mm	Length	2 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Type	Power Trench MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	11 ns	Typical Turn-On Delay Time	3.7 ns
Width	1.25 mm

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

FDG1024NZ is a chip used for fingerprint recognition and authentication. It offers a high level of security and accuracy, making it suitable for various applications, including mobile devices, access control systems, and financial transactions. The chip utilizes advanced technology to capture and process fingerprint data, providing quick and reliable identification.
Features

The FDG1024NZ is a compact, high-performance frequency synthesizer IC. It has a wide frequency range, low phase noise, and low power consumption. It supports both phase-locked loop (PLL) and direct digital synthesis (DDS) modes of operation. The IC also offers built-in frequency sweep and automatic power control features for enhanced functionality.
Pinout

The FDG1024NZ is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Its functions include acting as a switch or amplifier for low voltage applications, offering low on-resistance, and supporting high current handling capabilities.
Application Field

The FDG1024NZ is a field-effect transistor designed for use in high-frequency applications such as telecommunication systems, radar, and imaging devices. It can also be used in low-noise amplifiers, mixers, and oscillators. Its compact size and high gain make it suitable for various wireless communication and signal processing applications.
Package

The FDG1024NZ chip is available in a small and compact surface mount package type known as FlipChip. Its size is typically 1.6mm x 1.6mm, making it suitable for applications that require a miniature footprint and high density.