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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ON FDB088N08

Name: FDB088N08
Rating: 4.5 (6 reviews)

N-Channel 75 V 120A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

ブランド: ON Semiconductor, LLC

製造元部品 #: FDB088N08

データシート: FDB088N08 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: D2PAK

RoHS ステータス:

在庫状況: 3869 個、新しいオリジナル

製品の種類: トランジスタ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$1.477	$1.477
10	$1.444	$14.440
30	$1.422	$42.660
100	$1.403	$140.300

In Stock:3869 PCS

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FDB088N08 概要

This N-Channel MOSFET is produced using a PowerTrench^® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

特徴

R_DS(on) = 7.3mΩ ( Typ.)@ V_GS = 10V, I_D = 85A
Fast switching speed
Low Gate Charge
High performance trench technology for low R_DS(on)
High power and current handling capability
RoHS compliant

応用

AC-DC Merchant Power Supply
AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Source Content uid	FDB088N08	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Package Description	D2PAK-3	Manufacturer Package Code	418AJ
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	45 Weeks	Samacsys Manufacturer	onsemi
Avalanche Energy Rating (Eas)	309 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	75 V
Drain Current-Max (ID)	85 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0088 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)	245	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	160 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	340 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
feature-category	Power MOSFET	feature-material
feature-process-technology	TMOS	feature-configuration	Single
feature-channel-mode	Enhancement	feature-channel-type	N
feature-number-of-elements-per-chip	1	feature-maximum-drain-source-voltage-v	75
feature-maximum-gate-source-voltage-v	±20	feature-maximum-gate-threshold-voltage-v	4
feature-maximum-continuous-drain-current-a	120	feature-maximum-drain-source-resistance-mohm	8.8@10V
feature-typical-gate-charge-vgs-nc	91@10V	feature-typical-gate-charge-10v-nc	91
feature-typical-input-capacitance-vds-pf	4960@25V	feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw	160000	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	3
feature-supplier-package	D2PAK	feature-standard-package-name1	TO-263
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	Yes

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The FDB088N08 is a power MOSFET chip primarily used for switching applications. It has a maximum voltage rating of 80V and a continuous drain current of 80A. The chip features a low on-resistance and offers high efficiency and reliability. It is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications where high power switching is required.
Equivalent

Equivalent products of the FDB088N08 chip include the IPP088N08N3G, STI088N08M5, IPB088N08N5, IRF540NPBF, and IRF7749L1TRPBF.
Features

FDB088N08 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 80V, a continuous drain current rating of 80A, and a low on-resistance of 8.8mΩ. It is designed for applications where high power and efficiency are required, such as power supplies, motor control, and audio amplification.
Pinout

The FDB088N08 is a MOSFET transistor device. It has a pin count of 8, meaning it has 8 different pins for various connections. The specific function of each pin can be found in the datasheet provided by the manufacturer.
Manufacturer

The manufacturer of the FDB088N08 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that specializes in the design, development, and manufacturing of semiconductor devices.
Application Field

The FDB088N08 is a power MOSFET transistor that can be used in various applications, including motor control, power supplies, DC-DC converters, and battery management systems. It is designed to handle high voltage and high current, making it suitable for applications that require efficient power switching and low on-resistance.
Package

The FDB088N08 chip has a TO-263 package type, with a through-hole mounting form. Its approximate size is 10mm x 8.7mm x 3.3mm.