ON FDB070AN06A0
Power transistor, capable of handling high current
ブランド: Onsemi
製造元部品 #: FDB070AN06A0
データシート: FDB070AN06A0 Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: D2PAK-3 (TO-263-3)
製品の種類: トランジスタ
FDB070AN06A0 概要
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 7mΩ, The latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
特徴
- RDS(on) = 6.1mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A
- QG(tot) = 51nC (Typ.) @ VGS = 10V
- Low Miller Charge
- Low Qrr Body Diode
- UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
応用
- AC-DC Merchant Power Supply
- AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- Other Data Processing
- Other Industrial
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 80 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 6.1 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 66 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Pd - Power Dissipation | 175 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | PowerTrench | Series | FDB070AN06A0 |
Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
Fall Time | 35 ns | Height | 4.83 mm |
Length | 10.67 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 159 ns | Factory Pack Quantity | 800 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 12 ns | Width | 9.65 mm |
Part # Aliases | FDB070AN06A0_NL |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The FDB070AN06A0 chip, manufactured by Fairchild Semiconductor, is a power MOSFET transistor designed specifically for use in automotive applications. It features a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current capability of 70A. The chip also incorporates advanced trench technology, providing low on-state resistance and high switching performance.
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Features
The FDB070AN06A0 is a power MOSFET module that features a low on-resistance of 7.4mΩ, allowing for efficient power management and reduced power dissipation. It also has a high current rating of 70A, making it suitable for a variety of applications requiring high power handling. -
Pinout
The FDB070AN06A0 is a power MOSFET transistor with a pin count of 3. The functions of its three pins are typically Gate, Drain, and Source. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDB070AN06A0 is Infineon Technologies. It is a German multinational semiconductor company that specializes in the manufacturing and distribution of various semiconductor products, including power management ICs, microcontrollers, sensors, and automotive electronics, among others. -
Application Field
The FDB070AN06A0 is a power MOSFET transistor designed for use in high-speed, high-frequency applications such as switch-mode power supplies, motor control, and lighting controllers. It can also be used in audio amplifiers and other high-performance electronic devices due to its low on-resistance and high voltage capability. -
Package
The FDB070AN06A0 chip is a power MOSFET device with a TO-263 package type, which is also known as D2PAK or I2PAK. It has a form of a rectangular plastic package with three leads and a size of approximately 10.3mm x 9.6mm x 4mm.
データシート PDF
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