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C2M0160120D

Name: C2M0160120D
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-voltage MOSFET with low ON-state resistance of 160 milliohm

ブランド: Wolfspeed

製造元部品 #: C2M0160120D

データシート: C2M0160120D データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 6,302 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Ovaga の在庫が豊富にあります C2M0160120D Single FETs, MOSFETs から Wolfspeed そして、それらが直接調達されたオリジナルの真新しい部品であることを保証します Wolfspeed 品質テストレポートを提供できます。 C2M0160120D ご要望に応じて。見積もりを取得するには、右側のクイック見積もりフォームに必要な数量、連絡先名、電子メールアドレスを入力するだけです。弊社営業担当より12時間以内にご連絡させていただきます。

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Package / Case	TO-247-3
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1.2 kV	Id - Continuous Drain Current	17.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance	196 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V	Qg - Gate Charge	32.6 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	125 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	Wolfspeed	Configuration	Single
Fall Time	7 ns	Forward Transconductance - Min	4.1 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	12 ns
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	13 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The C2M0160120D chip is a high-performance power module designed for electric vehicle charging, photovoltaic inverters, and other high voltage applications. It features low on-resistance and high switching frequency, making it ideal for efficient power conversion. The chip's compact design and superior thermal performance make it a reliable choice for demanding applications.
Equivalent

The equivalent products of C2M0160120D chip are C2M0080120D and C2M0040120D. These are all silicon carbide power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics, suitable for high-power and high-frequency applications.
Features

1. 120A continuous current rating 2. Low voltage drop 3. Fast switching speed 4. Reverse polarity protection 5. Overcurrent protection 6. High efficiency 7. Compact size 8. Designed for automotive applications
Pinout

The C2M0160120D is a 4-pin SiC power MOSFET used for power conversion applications. Pin 1 is the gate, pin 2 is the source, pin 3 is the drain, and pin 4 is the source. It has a voltage rating of 1200V and a current rating of 24A.
Manufacturer

The manufacturer of the C2M0160120D is Cree, Inc. Cree is an American manufacturer of semiconductor materials and devices primarily used in power and radio-frequency applications. They are known for their wide range of high-quality LED lighting products and semiconductor solutions for industrial, commercial, and consumer markets.
Application Field

The C2M0160120D is commonly used in applications such as motor drives, solar inverters, UPS systems, and welding equipment that require high power density, high efficiency, and high switching frequencies. It is suitable for a wide range of power electronics applications that demand high performance and reliability.
Package

The C2M0160120D chip is a silicon carbide power MOSFET that comes in a TO-247 package with a size of 11.6mm x 15.2mm.