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C2M0080120D

Tube Packaging for Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Wolfspeed

製造元部品 #: C2M0080120D

データシート: C2M0080120D データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO247-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,541 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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C2M0080120D 概要

The C2M0080120D MOSFET is a high-power N-channel transistor specifically designed for high voltage and high current applications. With a drain source voltage of 1200V and a continuous drain current of 31.6A, it offers low on-resistance of 0.08ohm for efficient power management. The TO-247 case style with 3 pins allows for easy and secure mounting, while its wide operating temperature range of -55°C to 150°C ensures versatility in various applications. This semiconductor device also has a threshold voltage of 3.2V and a power dissipation of 208W, making it suitable for demanding industrial and automotive applications

特徴

  • Model: C2M0080120D
  • Dimensions: Compact size
  • Power: 120W
  • Efficiency: High efficiency
  • Compatibility: Wide range of applications
  • Protection: Overload, overvoltage, overtemperature protection
  • Design: Lightweight and durable
  • Certifications: CE, RoHS compliant
  • Warranty: Manufacturer's warranty included

応用

  • Telecommunications
  • Networking
  • Data centers
  • RFID systems
  • Wireless infrastructure
  • Automotive electronics
  • Industrial automation
  • Medical devices
  • Solar energy systems
  • Consumer electronics

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology SiC
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV Id - Continuous Drain Current 31.6 A
Rds On - Drain-Source Resistance 98 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 5 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V Qg - Gate Charge 71 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 208 W Channel Mode Enhancement
Brand Wolfspeed Configuration Single
Fall Time 21 ns Forward Transconductance - Min 3.9 S
Height 21.1 mm Length 16.13 mm
Product Power MOSFETs Product Type MOSFET
Rise Time 34 ns Factory Pack Quantity 30
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type Silicon Carbide Power MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 23.2 ns
Typical Turn-On Delay Time 12 ns Width 5.21 mm
Unit Weight 0.211644 oz

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
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