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vishay SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SIA906EDJ-T1-GE3

データシート: SIA906EDJ-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SC-70-6

製品の種類: FET, MOSFET Arrays

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SIA906EDJ-T1-GE3 概要

The SIA906EDJ-T1-GE3 MOSFET transistor is a premium component with dual N-channel polarity, providing a continuous drain current (Id) of 4.5A and a drain source voltage (Vds) of 20V. Its low on resistance (Rds(on)) of 0.037ohm and test voltage (Vgs) of 4.5V contribute to its efficient power handling capabilities, while the threshold voltage ensures precise and dependable switching performance

特徴

  • High-frequency performance
  • Silicon-controlled rectifier (SCR) functionality
  • Low-input capacitance

応用

SWITCHING

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-70-6
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Id - Continuous Drain Current: 4.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 46 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 600 mV Qg - Gate Charge: 950 pC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 7.8 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: TrenchFET, PowerPAK Series: SIA
Packaging: MouseReel Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: Dual Fall Time: 12 ns
Forward Transconductance - Min: 14 S Height: 0.75 mm
Length: 2.05 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 18 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 12 ns Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
Width: 2.05 mm Part # Aliases: SIA906EDJ-GE3
Unit Weight: 0.000988 oz

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The SIA906EDJ-T1-GE3 is a power switch and protection IC designed for use in high-performance computing applications. It features a low resistance MOSFET for efficient power delivery and comprehensive protection features to safeguard against overcurrent, overvoltage, and overtemperature conditions. This chip is ideal for use in servers, workstations, and other high-power computing systems.

  • Equivalent

    The equivalent products of SIA906EDJ-T1-GE3 chip are IRF6727MTRPBF, AON6618, and SI4410DY-T1-GE3. These chips are also dual N-channel MOSFETs with similar specifications and features.

  • Features

    - SIA906EDJ-T1-GE3 is a 90V N-channel MOSFET - It has a maximum drain-source voltage of 90V - Low on-resistance of 25mΩ - High current handling capability of 34A - Suitable for power management applications in automotive, industrial, and consumer electronics.

  • Pinout

    SIA906EDJ-T1-GE3 is a 6-pin power transistor with a NPN bipolar junction. It is commonly used for power switching applications due to its low saturation voltage and high current capability. The part is manufactured by Vishay and has a maximum collector current of 1A.

  • Manufacturer

    SIA906EDJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that specializes in the design and manufacture of electronic components such as passive components, discrete semiconductors, and sensors. They provide products for a wide range of industries including automotive, telecommunications, and consumer electronics.

  • Application Field

    The SIA906EDJ-T1-GE3 is commonly used in power management applications, such as voltage regulators, DC-DC converters, and battery charging circuits. It is also suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications that require high efficiency and compact size.

  • Package

    The SIA906EDJ-T1-GE3 chip is a discrete semiconductor package type. It is a surface mount form factor with a size of 3.9mm x 2.5mm (SOD-123FL package).

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

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