画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000vishay SIA461DJ-T1-GE3
20 Volt Negative-Channel MOSFET
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SIA461DJ-T1-GE3
データシート: SIA461DJ-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SC-70-6
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
SIA461DJ-T1-GE3 概要
The SIA461DJ-T1-GE3 MOSFET is a powerful P-channel transistor that provides a continuous drain current of 12A and a drain-source voltage of -20V. With an incredibly low on-resistance of 0.025ohm and a power dissipation of 17.9W, this transistor is perfect for high-performance applications where efficiency is key. The PowerPAK SC70 case style and 6 pins make it easy to integrate into various electronic designs, while the wide operating temperature range of -55°C to +150°C ensures reliable performance in extreme conditions. The MSL 1 - Unlimited classification further guarantees that this transistor is suitable for a wide range of manufacturing environments
特徴
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-70-6 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 12 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Qg - Gate Charge | 18 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 17.9 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET, PowerPAK |
| Series | SIA | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min | 20 S | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 22 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Part # Aliases | SIA461DJ-GE3 |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
-
![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
-
![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
-
![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
-
![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
-
![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The SIA461DJ-T1-GE3 is a high-performance, low capacitance TVS diode array designed to protect sensitive electronics from voltage transients. It offers superior surge protection for Ethernet and data line applications, with a maximum operating voltage of 5V and a peak pulse power of 1000W. This chip is ideal for use in applications where ESD and lightning protection are required.
-
Equivalent
The equivalent products of SIA461DJ-T1-GE3 chip include SIA460DJ-T1-GE3, SIA462DJ-T1-GE3, and SIA463DJ-T1-GE3. These chips are all power management integrated circuits that offer similar functionality and performance characteristics. -
Features
SIA461DJ-T1-GE3 is a high-performance RF power amplifier module designed for use in LTE small cell base stations. It operates in the frequency range of 2.3-2.7 GHz with a linear output power of 45 dBm. It features high efficiency, adjustable output power, and excellent linearity for improved signal quality. -
Pinout
SIA461DJ-T1-GE3 is a small-signal N-channel MOSFET with a pin count of 3. The pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is typically used for switching applications in low voltage circuits. -
Manufacturer
SIA461DJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay. Vishay is an American company that specializes in manufacturing discrete semiconductors, passive components, and integrated circuit. They are known for producing a wide range of electronic components for various industries, including automotive, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
SIA461DJ-T1-GE3 is a high power, high frequency RF power amplifier suitable for various applications including cellular infrastructure, small cell, repeaters, and distributed antenna systems. It can also be used in microwave radios, point-to-point, and point-to-multipoint communication systems. -
Package
The SIA461DJ-T1-GE3 chip is a DFN package type with a form factor of Dual Flat No-leads (DFN) and a size of 3.3mm x 3.3mm.
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
-
![製品]( "製品")
豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
-
![quantity]( "quantity")
最小注文数量は1個からとなります。
-
![shipping]( "shipping")
最低国際配送料は0.00ドルから
-
![保証]( "保証")
全商品365日品質保証
