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vishay SIA445EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V [email protected] 12A P-Ch G-III

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SIA445EDJ-T1-GE3

データシート: SIA445EDJ-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SC-70-6

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SIA445EDJ-T1-GE3 概要

Offering superior performance and reliability, the SIA445EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH transistor is ideal for demanding applications where high current and low resistance are required. With a maximum operating temperature of 150°C and a minimum of -55°C, this transistor can withstand extreme temperature conditions without compromising its functionality. The PowerPAK SC70 case style offers efficient heat dissipation, while the 6-pin configuration allows for easy integration into circuit designs. The MSL 1 - Unlimited rating ensures that this transistor is suitable for a wide range of storage and assembly environments

特徴

  • High speed switching and low loss
  • Multibit and high frequency operation
  • Robust design for high reliability
  • Economical solution with high performance

応用

Smart Phones, Tablet PCs, Mobile Computing - Battery Switch - Charger Switch - Load Switch

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-70-6
Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Id - Continuous Drain Current: 12 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 16.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V Qg - Gate Charge: 48 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 19 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: TrenchFET, PowerPAK Series: SIA
Packaging: MouseReel Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: Single Fall Time: 20 ns
Forward Transconductance - Min: 29 S Product Type: MOSFET
Rise Time: 25 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time: 55 ns
Typical Turn-On Delay Time: 25 ns Part # Aliases: SIA445EDJ-GE3
Unit Weight: 0.001446 oz

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The SIA445EDJ-T1-GE3 is a power MOSFET chip designed for high efficiency, low on-resistance, and fast switching speeds in a compact package. It is suitable for use in a wide range of power management applications, such as voltage regulators, DC-DC converters, and motor control circuits. With its advanced design and performance capabilities, this chip is ideal for maximizing power efficiency and minimizing heat dissipation in electronic devices.

  • Equivalent

    The equivalent products of SIA445EDJ-T1-GE3 chip are SIA445EDJ-T1-GE4 and SIA445EDJ-T2-GE3. These chips have similar functionalities and specifications, making them suitable replacements for each other in various electronic applications.

  • Features

    SIA445EDJ-T1-GE3 is a MOSFET with a maximum drain-source voltage of 30V, a continuous drain current of 10A, and a low on-resistance of 8mΩ. It also features a small footprint and high power density, making it suitable for high-performance applications in power management and motor control.

  • Pinout

    SIA445EDJ-T1-GE3 has 6 pins and is a 12 V, 5 A low-voltage load switch IC. It is designed to protect power supply systems by providing a controlled turn-on and turn-off of devices to prevent damage and improve efficiency.

  • Manufacturer

    SIA445EDJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., an American manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay is a global company that provides components for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer, and telecommunications.

  • Application Field

    Some application areas for SIA445EDJ-T1-GE3 may include data centers, telecommunications equipment, industrial systems, and consumer electronics. This high-performance power MOSFET is suitable for a variety of power management applications where high reliability and efficiency are required.

  • Package

    The SIA445EDJ-T1-GE3 chip comes in a surface-mount package type, it is in a form of a dual MOSFET, and measures 2mm x 2mm in size.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

TL431IPK

CA3240E

59170-1-S-00-D

TPS2491DGSR

LM358ADT

XBP9X-DMUS-001

FAN3100CSX

MX25V8035FM1I

W25Q64JVSSIQ TR

AK4556VT

XCF01SVO20C

DS3695N

ADS1118IDGST

MMBT3904WT1G

CXA-0308

E2A-M30KS15-M1-B1

2V7002KT1G

STM32F091CCT6

MCP6022-I/SN

ST232CN

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