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vishay SIA416DJ-T1-GE3

100V N-Channel MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SIA416DJ-T1-GE3

データシート: SIA416DJ-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SC-70-6

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SIA416DJ-T1-GE3 概要

MOSFET, N-CH, 100V, 11.3A, PPAKSC70-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.068ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:19W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SC70; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited

特徴

  • TrenchFET® Power MOSFET
  • 100 % Rg and UIS Tested
  • Material categorization: For definitions of compliance please see

応用

  • DC/DC Converters
  • Full-Bridge Converters
  • For Power Bricks and POL Power

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-70-6
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 11.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 68 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.6 V Qg - Gate Charge: 10 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 19 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: TrenchFET, PowerPAK Series: SIA
Packaging: MouseReel Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: Single Fall Time: 10 ns
Forward Transconductance - Min: 8 S Product Type: MOSFET
Rise Time: 13 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 10 ns Typical Turn-On Delay Time: 5 ns
Unit Weight: 0.001144 oz

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

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ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The SIA416DJ-T1-GE3 is a high-performance, integrated power switch designed for use in a wide range of applications. It offers advanced protection features, such as overcurrent and overtemperature protection, to ensure reliable operation. This chip is a cost-effective and efficient solution for power management in various electronic devices.

  • Equivalent

    The equivalent products of the SIA416DJ-T1-GE3 chip are Infineon BSC116N08NS3G, ON Semiconductor NTMFS4108N, and Vishay SI4411DY. These are MOSFET transistors with similar specifications and capabilities, making them suitable alternatives for the SIA416DJ-T1-GE3 chip in various applications.

  • Features

    SIA416DJ-T1-GE3 is a high-power, high-efficiency SiC (Silicon Carbide) power MOSFET. It features a low on-resistance, fast switching speed, and a compact package size. It is suitable for a wide range of applications including power supplies, motor drives, and solar inverters.

  • Pinout

    The SIA416DJ-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. The functions of the pins are: pin 1 and pin 2: Gate 1 and Gate 2, respectively; pin 3 and pin 4: Source 1 and Source 2, respectively; pin 5 and pin 6: Drain 1 and Drain 2, respectively; pin 7: Thermal pad; pin 8: NC (no connection).

  • Manufacturer

    SIA416DJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Specializing in diodes, rectifiers, transistors, and power modules, Vishay Semiconductor provides solutions for a wide range of industries including automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.

  • Application Field

    SIA416DJ-T1-GE3 is widely used in high-speed data transmission applications such as data centers, telecommunication networks, and high-performance computing. It is also used in industrial automation, automotive electronics, and medical devices due to its high-speed and high-frequency performance capabilities.

  • Package

    The SIA416DJ-T1-GE3 chip is a Discrete Semiconductor Product in a PowerSO-8 package. It is a MOSFET N-CH 100V 52A PowerPAK SO-8 form with a size of 5mm x 6mm.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

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    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

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    最小注文数量は1個からとなります。

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    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

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