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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

SI7615ADN-T1-GE3

Name: SI7615ADN-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

POWERPAK-8 MOSFET with P-channel configuration, able to handle currents up to -35A at voltage levels of -20V

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI7615ADN-T1-GE3

データシート: SI7615ADN-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: PowerPAK-1212-8

RoHS ステータス:

在庫状況: 5758 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI7615ADN-T1-GE3 概要

MOSFET, P-CH, 20V, PPAK-1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

特徴

TrenchFET® Gen III p-channel power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	PowerPAK-1212-8
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V	Id - Continuous Drain Current	35 A
Rds On - Drain-Source Resistance	4.4 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V	Qg - Gate Charge	122 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	52 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI7
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Single
Fall Time	26 ns	Forward Transconductance - Min	82 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	40 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	75 ns
Typical Turn-On Delay Time	41 ns	Part # Aliases	SI7621DN-T1-GE3
Unit Weight	0.032487 oz

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