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vishay SI2369DS-T1-GE3

MOSFET: SOT-23 variant designed for applications requiring a maximum drain-source voltage of -30V and a maximum gate-source voltage of 20V

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2369DS-T1-GE3

データシート: SI2369DS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2369DS-T1-GE3 概要

The SI2369DS-T1-GE3 is a MOSFET with P channel transistor polarity, designed for use in applications requiring high current and low voltage operation. With a continuous drain current of -7.6A and a drain source voltage of -30V, this MOSFET offers high performance and reliability. Its low on resistance of 0.024ohm ensures efficient power management, while the threshold voltage of -10V makes it suitable for a wide range of voltage levels. The SOT-23-3 package provides a compact and convenient solution for space-constrained applications, making the SI2369DS-T1-GE3 an ideal choice for power management in portable electronics, battery-powered devices, and other compact systems

特徴

  • Ruggedized against ESD
  • Low output capacitance
  • Fast fall time

応用

For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter G

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 7.6 A Rds On - Drain-Source Resistance 29 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge 11.4 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 6 ns
Height 1.45 mm Length 2.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 4 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 38 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases SI2369DS-T1-BE3

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • SI2369DS-T1-GE3 is a chip manufactured by Vishay Siliconix. It is a dual N-channel MOSFET designed for use in power management applications. The chip features a low on-resistance and low gate charge, making it highly efficient. It is compatible with both digital and analog applications and is commonly used in DC-DC converters, load switches, and battery protection circuits.

  • Features

    The SI2369DS-T1-GE3 is a small signal N-channel MOSFET transistor. It has a drain-source voltage rating of 20V and a continuous drain current rating of 3.6A. The transistor is designed for general-purpose switching applications and offers low RDS(on) resistance and fast switching speed.

  • Pinout

    The SI2369DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET transistor with a package pin count of 6. The pin functions include the gate (G) pin, which controls the flow of current through the transistor, the drain (D) pin, which collects current from the transistor, and the source (S) pin, which serves as the reference point for the current flow.

  • Manufacturer

    The SI2369DS-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., which is a global manufacturer of a wide range of electronic components and semiconductors.

  • Application Field

    The SI2369DS-T1-GE3 is designed for general-purpose switching applications with low on-resistance and fast switching characteristics. It can be used in various applications such as power management, load switches, battery protection, and portable devices.

  • Package

    The SI2369DS-T1-GE3 chip has a surface mount package type called SOT-23-3. It has three pins and a small outline package (SOP) form. The package size is approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm (L x W x H).

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

TPS62933PDRLR

OPA2348AIDCNR

IW1710-01

IRL540NPBF

VAF1024

NUD3105DMT1G

OPA1632D

SMDJ30CA

88E1518-A0-NNB2C000

2N4348

MC34063ADR2G

STM8L151C8T6

NUD4001DR2G

SUM110P06-07L-E3

IXFH50N20

NTR4501NT1G

VNQ660SPTR-E

LTC1966CMS8#PBF

10M04SAU324I7G

ATMEGA644P-20PU

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