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vishay SI2333CDS-T1-GE3 48HRS

Performance Features: With its low on-resistance and high power handling capability

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2333CDS-T1-GE3

データシート: SI2333CDS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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数量 単価 外部価格
1 $0.358 $0.358
10 $0.285 $2.850
30 $0.253 $7.590
100 $0.215 $21.500
500 $0.198 $99.000
1000 $0.187 $187.000

在庫あり: 9,458 PCS

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SI2333CDS-T1-GE3 概要

The SI2333CDS-T1-GE3 is a P-channel transistor with a drain-source voltage (Vds) of 12V and a continuous drain current (Id) of 7.1A. This surface-mount transistor has a Rds(On) test voltage of 4.5V and a maximum gate-source threshold voltage of 1V. It is capable of dissipating 2.5W of power and has 3 pins. However, it is not RoHS compliant

特徴

  • Rugged Design for High Reliability and Low Failure Rate
  • Excellent Switching Performance with Fast Fall Time
  • Low Total Gate Charge and Low Input Capacitance
  • Safe Operating Area (SOA) Protection Against Overvoltage and Undervoltage Conditions

応用

Load Switch |PA Switch

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity P-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 12 V
Id - Continuous Drain Current 7.1 A Rds On - Drain-Source Resistance 35 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
Qg - Gate Charge 9 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.5 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 12 ns
Height 1.45 mm Length 2.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 35 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 45 ns
Typical Turn-On Delay Time 13 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases SI2333CDS-T1-BE3 SI2333CDS-GE3

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

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1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • SI2333CDS-T1-GE3 is a chip/semiconductor used in electronic devices. It is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that can switch high currents. The chip is designed to enhance performance while reducing power consumption in various applications such as power management, battery chargers, and DC-DC converters. It offers high efficiency, compact size, and low on-resistance for improved electrical performance in electronic circuits.

  • Features

    SI2333CDS-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET with a drain-source voltage rating of -20V. It has a low on-resistance, fast switching speed, and is suited for low power applications. Additionally, it has thermal protection and is RoHS compliant.

  • Pinout

    The SI2333CDS-T1-GE3 has a pin count of 6 and is a P-Channel MOSFET. Its function is to provide high-speed switching and efficient power management in various electronic applications.

  • Manufacturer

    The manufacturer of the SI2333CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in the design, production, and distribution of power MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) and other electronic components.

  • Application Field

    The SI2333CDS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET that can be used in various applications such as power management, load switching, battery charging, and portable devices. It offers low voltage and low on-resistance, making it suitable for applications that require efficient power control and handling.

  • Package

    The SI2333CDS-T1-GE3 chip has a package type of SOT-23, a form of reel, and a small size.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

STM32G031F8P6

TL7705ACP

1N5819W

0154001.DR

MICS-5914

LMX2595RHAT

OPA277U/2K5

LM7824CT

SHT31-DIS-B2.5KS

MC14511BCP

B130LAW-7-F

CDCLVC1104PWR

MURS260T3G

SN74ALVC244PWR

MSL0601RGBU1

H11L1SR2M

AD8034ARZ

TPS7A4901DRBR

BTA26-800B

M24M01-RDW6TP

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