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vishay SI2303CDS-T1-GE3
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI2303CDS-T1-GE3
データシート: SI2303CDS-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23-3
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
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5 | $0.076 | $0.380 |
50 | $0.066 | $3.300 |
150 | $0.061 | $9.150 |
500 | $0.058 | $29.000 |
3000 | $0.052 | $156.000 |
6000 | $0.051 | $306.000 |
在庫あり: 9,458 PCS
SI2303CDS-T1-GE3 概要
The SI2303CDS-T1-GE3 is a high-quality P-channel FET designed for low voltage applications, boasting a maximum drain-source voltage of -30V and a continuous drain current of -3.2A. With a low on-resistance of 104mOhms at a gate-source voltage of -4.5V, this transistor provides efficient power management and reduces power loss. It can withstand a wide range of operating conditions with a total power dissipation of 2.2W and a junction temperature range of -55°C to 150°C. The compact SOT-23 package and small footprint of the SI2303CDS-T1-GE3 make it easy to integrate into various circuit designs, perfect for applications where space is limited
![](/files/uploads/product/b/4d203ed9-a9de-43f6-9086-4d618971be37.webp)
特徴
- This transistor is ideal for load switching in small circuits
- The SI2303CDS-T1-GE3 has a low input capacitance of 2pF
- It can be used for DC/DC converters and other power conversion applications
応用
SWITCHING仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-23-3 |
Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 2.7 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | Qg - Gate Charge: | 2 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 2.3 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | TrenchFET | Series: | SI2 |
Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
Configuration: | Single | Fall Time: | 8 ns |
Height: | 1.45 mm | Length: | 2.9 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 11 ns |
Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns | Width: | 1.6 mm |
Part # Aliases: | SI2303CDS-T1-BE3 SI2303BDS-T1-E3-S |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
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パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SI2303CDS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor designed for high efficiency power management applications. It features a low on-resistance and is suitable for use in battery management systems, load switches, and other power control circuits. This chip offers high performance in a compact package, making it ideal for space-constrained designs.
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Equivalent
The equivalent products of the SI2303CDS-T1-GE3 chip are SI2303CDS-T1-E3, SI2303CDS-T1-RE3, and SI2303CDS-T1-WE3. These are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and functionality. -
Features
1. Enhancement mode N-channel MOSFET 2. Small footprint SOT-23 package 3. Low threshold voltage of 1.8V 4. Low on-resistance of 40mΩ 5. High current rating of 2.6A 6. Low gate charge for fast switching 7. RoHS compliant and halogen-free 8. Suitable for various low voltage applications -
Pinout
The SI2303CDS-T1-GE3 is a 3-pin N-channel MOSFET transistor with a SOT-23 package. It is designed for switching applications in electronic devices. The pin count includes Gate (G), Drain (D), and Source (S) pins. The transistor helps control the flow of current between the Drain and Source pins based on the voltage applied to the Gate pin. -
Manufacturer
The manufacturer of SI2303CDS-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. It is an American manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Intertechnology specializes in producing resistors, capacitors, inductors, diodes, transistors, and modules for a wide range of applications in industries such as automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
SI2303CDS-T1-GE3 is a small signal N-channel MOSFET with a maximum current rating of 2.7A and a low on-resistance of 0.08 ohms. It is commonly used in various low-power applications such as battery management, relay drivers, power switches, and signal amplification in consumer electronics, automotive systems, and industrial controls. -
Package
The SI2303CDS-T1-GE3 chip comes in a surface-mount package with a form of dual N-channel MOSFET in a SOT-23-3 size (2.9mm x 1.3mm).
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