注文金額が
$5000
vishay SI1902CDL-T1-GE3
TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI1902CDL-T1-GE3
データシート: SI1902CDL-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-363-6
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル
製品の種類: FET, MOSFET Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
---|---|---|
5 | $0.165 | $0.825 |
50 | $0.134 | $6.700 |
150 | $0.121 | $18.150 |
500 | $0.105 | $52.500 |
3000 | $0.097 | $291.000 |
6000 | $0.093 | $558.000 |
在庫あり: 9,458 PCS
SI1902CDL-T1-GE3 概要
The Vishay SI1902CDL-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a drain-source voltage rating of 20V. It is designed to handle a continuous drain current of 1.1A, making it suitable for a variety of low power applications. With its 6-pin configuration, this MOSFET is easy to integrate into circuit designs. Additionally, it is RoHS compliant, ensuring that it meets the latest environmental standards
特徴
応用
High speed switching G1 G2仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-363-6 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 1.1 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 235 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 12 V, + 12 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V | Qg - Gate Charge: | 2 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 420 mW | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | TrenchFET | Series: | SI1 |
Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
Configuration: | Dual | Fall Time: | 10 ns |
Height: | 0.75 mm | Length: | 2.05 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 13 ns |
Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns | Width: | 2.05 mm |
Part # Aliases: | SI1902CDL-T1-BE3 SI1958DH-T1-GE3 |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
---|---|---|
![]() |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
![]() |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
![]() |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
![]() |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
![]() |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
-
ステップ1 :製品
-
ステップ2 :真空包装
-
ステップ3 :静電気防止袋
-
ステップ4 :個包装
-
ステップ5 :梱包箱
-
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The SI1902CDL-T1-GE3 chip is a high-performance RF amplifier designed for use in wireless communication and automotive radar applications. It features low noise, high gain, and a wide frequency range, making it ideal for boosting signal strength in various electronic devices.
-
Equivalent
The equivalent products of SI1902CDL-T1-GE3 chip are SI1902CDL-T1-GE3GG and SI1902CDL-T1-P2-GE3. These chips are dual N-channel 30V (D-S) MOSFETs with low on-resistance and are commonly used in power management applications. -
Features
SI1902CDL-T1-GE3 is a P-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of -60V, continuous drain current of -6A, and low RDS(on) of 0.12 ohms. It is suitable for use in various applications such as load switching, power management, and battery protection due to its high efficiency and compact size. -
Pinout
The SI1902CDL-T1-GE3 is a dual N-channel integrated circuit with a pin count of 6. Pin 1 is the gate of the first N-channel MOSFET, Pin 2 is the source of the first N-channel MOSFET, Pin 3 is the drain of the first N-channel MOSFET, Pin 4 is the source/common connection, and Pins 5 and 6 are the drain and gate of the second N-channel MOSFET respectively. -
Manufacturer
The manufacturer of SI1902CDL-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and components for electronic devices. Vishay Siliconix is a leading supplier of power MOSFETs, power ICs, and analog switching regulators, catering to a wide range of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The SI1902CDL-T1-GE3 can be used in a variety of applications such as power management, voltage regulation, battery charging, and other power control circuits. It is suitable for portable electronics, industrial equipment, automotive systems, and other devices that require efficient power management solutions. -
Package
The SI1902CDL-T1-GE3 chip comes in a DFN-6 package type with a size of 2x2 mm and a form of Surface Mount.
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
-
豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
-
最小注文数量は1個からとなります。
-
最低国際配送料は0.00ドルから
-
全商品365日品質保証