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vishay SI1480DH-T1-GE3

2.6A Drain Current

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI1480DH-T1-GE3

データシート: SI1480DH-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-363-6

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI1480DH-T1-GE3 概要

The SI1480DH-T1-GE3 is a cutting-edge field-effect transistor that combines high performance with environmental consciousness. Its Silicon Metal-oxide Semiconductor construction ensures stability and reliability in demanding circuit applications, while the HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT design sets it apart as a socially responsible choice for electronics manufacturers. With its compact SC-70 package and 6-pin configuration, this transistor is easy to install and versatile enough to meet the needs of various design specifications

特徴

  • New generation power technology
  • Advanced power device solutions
  • Silicon-based switching innovations
  • Efficient energy transmission systems
  • Rugged and reliable performance guaranteed
  • High-speed switching and precision control

応用

  • Test applications
  • Power management
  • Renewable energy

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-363-6 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Id - Continuous Drain Current 2.6 A Rds On - Drain-Source Resistance 200 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 5 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.8 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Brand Vishay Semiconductors Configuration Single
Fall Time 13 ns Height 1 mm
Length 2.1 mm Product Type MOSFET
Rise Time 45 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 11 ns Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Width 1.25 mm Part # Aliases SI1480DH-T1-BE3
Unit Weight 0.000265 oz

配送

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The SI1480DH-T1-GE3 is a power management IC developed by Vishay Siliconix. It is designed for high-efficiency voltage regulation and features an integrated high-side switch and low-side driver, making it ideal for various applications in battery-powered devices, power tools, and industrial control systems.

  • Equivalent

    Some equivalent products of the SI1480DH-T1-GE3 chip are Infineon BSC010N04LSG, ON Semiconductor NPIC6C596D, and Fairchild Semiconductor FDC6324L. These chips are all Power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.

  • Features

    1. N-channel Power MOSFET 2. 100V Drain-source voltage 3. 120A continuous drain current 4. Low on-resistance of 5.8mΩ 5. High power density TO-220 package with D2PAK footprint 6. Suitable for high-power applications such as motor control and power supplies

  • Pinout

    The SI1480DH-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a 6-pin DFN package. It is commonly used in power management applications due to its high efficiency and low on-resistance. The pins are typically used for gate, source, and drain connections for each MOSFET.

  • Manufacturer

    Vishay Intertechnology is the manufacturer of SI1480DH-T1-GE3. It is a global company specializing in the development and production of discrete semiconductors and passive electronic components for a variety of industries including automotive, industrial, consumer, and telecommunications.

  • Application Field

    SI1480DH-T1-GE3 is commonly used in DC-DC converters, power supplies, and motor drive applications due to its high efficiency and low power loss characteristics. It is also suitable for portable electronics, automotive systems, and industrial equipment where space and energy efficiency are key considerations.

  • Package

    The SI1480DH-T1-GE3 chip is a Dual N-Channel MOSFET in a PowerPAK® SC-70 package. It is a surface mount form with a size of 2.1mm x 2.0mm.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

OPA2604AU

TUSB320LAIRWBR

IRPS5401MTRPBF

LP2951ACDR2G

VN7050ASTR

NSI45015WT1G

S1B-13-F

D44VH10

BTA24-800BWRG

W25Q128FVSIQ

ML4824CS1

RL201

TL331MDBVTEP

STM32H730VBT6

IL358

IS31FL3236A-QFLS2-TR

LTC6363IMS8#PBF

10M25SAE144I7G

VNQ7E100AJTR

ADUM5401CRWZ

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