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vishay SI1022R-T1-GE3

A MOSFET housed in SC75A packaging, featuring a 60V Vds and a 20V Vgs

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI1022R-T1-GE3

データシート: SI1022R-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-416-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI1022R-T1-GE3 概要

One of the key features of the SI1022R-T1-GE3 is its low threshold voltage of 2.5V, which allows for easy gate control and precise power regulation. This characteristic adds to the overall efficiency and controllability of power management systems in which the MOSFET is employed

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-416-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 330 mA
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.25 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V Qg - Gate Charge: 600 pC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 250 mW Channel Mode: Enhancement
Tradename: TrenchFET Series: SI1
Packaging: MouseReel Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: Single Forward Transconductance - Min: 100 mS
Product Type: MOSFET Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 35 ns Typical Turn-On Delay Time: 25 ns
Part # Aliases: SI1022R-GE3

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パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The SI1022R-T1-GE3 chip is a high-performance, low on-resistance power MOSFET integrated circuit designed for use in various electronics applications such as power management, motor control, and LED lighting. It features a compact size, low power consumption, and high efficiency, making it an ideal choice for modern electronic devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of SI1022R-T1-GE3 chip are SI1022R-T1-E3, SI1022R-T1-GE3, and SI1022R-T1-RE3. These chips are all part of the SI1022R-T1 series and offer similar functionality and performance.
  • Features

    SI1022R-T1-GE3 is a power MOSFET with fast switching speeds, low on-resistance, high power efficiency, and a low gate charge. It has a compact form factor and is designed for use in various power management applications in industries such as automotive, telecom, and renewable energy.
  • Pinout

    The SI1022R-T1-GE3 is a MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. Its function is to control the flow of current between the drain and source terminals based on the voltage applied to the gate terminal.
  • Manufacturer

    The SI1022R-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, an American company that specializes in electronic components and systems. They are a leading global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Intertechnology's products are used in a wide range of industries including automotive, telecommunications, medical, and industrial applications.
  • Application Field

    The SI1022R-T1-GE3 is commonly used in power management systems for electronic devices, such as smartphones, tablets, and laptops. It is also used in battery charging applications and in DC-DC converters. Additionally, it can be found in industrial automation equipment, LED lighting, and automotive electronics.
  • Package

    The SI1022R-T1-GE3 chip comes in a SOT-23-3 package, with a single form factor. Its size is typically 2.8 mm x 2.9 mm x 1.25 mm.

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