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ON NSV40301MDR2G

Name: NSV40301MDR2G
Brand: ON Semiconductor, LLC
Rating: 4.8 (10 reviews)

Bipolar Transistors - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT)

ブランド: ON Semiconductor, LLC

製造元部品 #: NSV40301MDR2G

データシート: NSV40301MDR2G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOIC-8

RoHS ステータス:

在庫状況: 2,875 個、新しいオリジナル

製品の種類: Bipolar Transistor Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
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200	$0.332	$66.400
500	$0.322	$161.000
1000	$0.316	$316.000

在庫あり: 2,875 PCS

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NSV40301MDR2G 概要

ON Semiconductor e2 PowerEdge family of Low V_CE(sat) Bipolar Transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. Typical applications are DC-DC converters and power management in portable and battery powered products such as cellular and cordless phones, PDAs, computers, printers, digital cameras and MP3 players. Other applications are low voltage motor controls in mass storage products such as disc drives and tape drives. In the automotive industry they can be used in air bag deployment and in the instrument cluster. The high current gain allows e2PowerEdge devices to be driven directly from PMUs control outputs, and the Linear Gain (Beta) makes them ideal components in analog amplifiers.

特徴

Current Gain Matching to 10%
Base Emitter Voltage Matched to 2 mV
This is a Pb-Free Device
NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101
Qualified and PPAP Capable

応用

Current Mirrors
Differential Amplifiers
DC-DC Converters
Power management in portable and battery powered products

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Status	Active	CAD Models
Compliance	PbAHP	Package Type	SOIC-8
Case Outline	751-07	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	2500	ON Target	Y
Polarity	Dual NPN	Type	Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)	0.06	IC Cont. (A)	3
VCEO Min (V)	40	VCBO (V)	40
VEBO (V)	6	VBE(sat) (V)	0.9
VBE(on) (V)	0.75	hFE Min	200
hFE Max	-	fT Min (MHz)	100
PTM Max (W)	0.576	Pricing ($/Unit)	$0.2933Sample
Case/Package	SOIC	Number of Pins	8
Collector Base Voltage (VCBO)	40 V	Collector Emitter Breakdown Voltage	40 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)	40 V	Emitter Base Voltage (VEBO)	6 V
Frequency	100 MHz	Max Collector Current	3 A
Max Operating Temperature	150 °C	Max Power Dissipation	653 mW
Min Operating Temperature	-55 °C	Number of Elements	2
Packaging	Tape & Reel	Power Dissipation	783 mW
Transition Frequency	100 MHz

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