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ST NAND512W3A2BN6E

Name: NAND512W3A2BN6E
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-capacity storage for your devices, offering B of reliable data retentio

ブランド: STMicroelectronics, Inc

製造元部品 #: NAND512W3A2BN6E

データシート: NAND512W3A2BN6E Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TSOP-1-48

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,817 個、新しいオリジナル

製品の種類: メモリ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$20.633	$20.633
200	$8.233	$1646.600
576	$7.958	$4583.808
1152	$7.822	$9010.944

在庫あり: 3,817 PCS

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NAND512W3A2BN6E 概要

FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP

特徴

It has a capacity of 512 megabytes.
It uses a NAND interface for data transfer.
It operates with a supply voltage of 2.7V to 3.6V.
It has a page size of 2KB and a block size of 128 pages.
It has a maximum data transfer rate of 52 megabytes per second.

応用

Consumer Electronics: Used in devices such as smartphones, tablets, digital cameras, USB drives, and portable media players for data storage and firmware updates.
Embedded Systems: Employed in embedded systems for program storage, configuration data, and firmware updates in applications such as industrial automation, automotive, and medical devices.
Solid-State Drives (SSDs): Utilized as storage components in SSDs, providing high-speed data access and reliable storage for computers and servers.
Networking Equipment: Found in network routers, switches, and servers for firmware storage and data caching.
Industrial Control: Used in industrial control systems and automation equipment for program storage and data logging.
Automotive Electronics: Employed in automotive applications for storing firmware, calibration data, and other non-volatile information.
Smart Grid Systems: Utilized in energy metering and monitoring systems for data storage and firmware updates.

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Name	NAND512W3A2BN6E	Manufacturer	Micron Technology
Memory Type	NAND Flash	Memory Size	512 Mbit
Organization	64M x 8	Interface	Parallel
Supply Voltage	2.7V to 3.6V	Access Time	200 ns
Operating Temperature Range	-40°C to +85°C	Package / Case	TSOP-48
Packaging	Tube

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

同等部品

のために NAND512W3A2BN6E コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:

部品番号

ブランド

パッケージ

説明

部品番号 : K9K8G08U0A

ブランド : Samsung

パッケージ :

説明 : This is a 512 megabit (64 megabyte) NAND Flash memory device with similar specifications to the NAND512W3A2BN6E. It utilizes SLC NAND technology and is available in various package types.

部品番号 : TC58NVG2S0HRAIG

ブランド : Toshiba

パッケージ :

説明 : This is another 512 megabit NAND Flash memory device with comparable features. It is based on SLC NAND technology and is offered in different package options.

部品番号 : MX30LF512G18AC

ブランド : Macronix

パッケージ :

説明 : This is a 512 megabit NAND Flash memory device that offers similar storage capacity and SLC NAND technology. It is available in various package types to suit different application requirements.

パーツポイント

The NAND512W3A2BN6E chip is a NAND flash memory chip with a capacity of 512 gigabits. It is commonly used in a variety of electronic devices for data storage, such as smartphones, tablets, and solid-state drives. The chip offers high speed and reliability, making it a popular choice for memory storage applications.
Equivalent

The equivalent products of NAND512W3A2BN6E chip are Micron MT29F4G08ABADAH4, Winbond W25N05JW, and Cypress S29GL512S10TFI013. These chips have similar specifications like NAND flash memory, 512Mb capacity, an asynchronous interface, and a 48-ball grid array package.
Features

NAND512W3A2BN6E is a 512Gb 3-bit TLC NAND flash memory with a synchronous interface. It offers low power consumption, high storage capacity, and fast data transfer rates. It is designed for use in solid-state drives, tablets, smartphones, and other storage devices requiring high-performance flash memory.
Pinout

The NAND512W3A2BN6E is a 32Gb, 3.3V NAND flash memory chip with a 48-pin TSOP package. Its functions include storing data for electronic devices, such as smartphones, tablets, and computers.
Manufacturer

The manufacturer of the NAND512W3A2BN6E is Samsung. Samsung is a South Korean multinational conglomerate company that specializes in various industries including electronics, telecommunications, and semiconductors. They are one of the world's largest manufacturers of consumer electronics and semiconductor products.
Application Field

The NAND512W3A2BN6E is commonly used in embedded systems, consumer electronics, automotive applications, and industrial equipment for data storage and code execution. Its low power consumption, high reliability, and fast access times make it ideal for a wide range of applications that require non-volatile memory storage.
Package

The NAND512W3A2BN6E chip is in a BGA (Ball Grid Array) package type, with a form factor of 14 x 18 mm, and a size of 512 megabits (64 megabytes).