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ST NAND512R3A2DZA6E

Name: NAND512R3A2DZA6E
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-performance storage solution for demanding application

ブランド: STMicroelectronics, Inc

製造元部品 #: NAND512R3A2DZA6E

データシート: NAND512R3A2DZA6E Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: BGA-63

製品の種類: メモリ

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,065 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NAND512R3A2DZA6E 概要

The NAND512R3A2DZA6E from Micron Technology is a powerful NAND Flash memory device with a capacity of 512 megabytes. It operates on a 3.3 volt power supply and is designed with memory blocks and pages for efficient data storage. With a synchronous interface and a maximum clock frequency of 50 MHz, this device offers lightning-fast data transfer speeds. Its support for features such as random read/write operations, hardware data protection, and error correction codes ensures the integrity of stored data. This makes it an ideal choice for solid-state drives, smartphones, tablets, and other consumer electronics devices where high-density storage and low power consumption are critical. The NAND512R3A2DZA6E is built for reliable performance and durability, making it suitable for use in high-demand environments

特徴

It has a storage capacity of 512 megabytes (MB).
It uses a NAND flash memory architecture, which allows for fast read and write speeds.
It uses a 3.3 volt power supply.
It has a small form factor and is surface-mountable.
It has a maximum operating temperature range of -40°C to 85°C.

応用

S34ML04G200TFI000 from Cypress Semiconductor
MT29F512G08CKCABH6-IT from Micron Technology
K9GBG08U0M-PCB0 from Samsung Electronics

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Ihs Manufacturer	MICRON TECHNOLOGY INC	Part Package Code	BGA
Package Description	9 X 11 MM, 1.05 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63	Pin Count	63
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
HTS Code	8542.32.00.51	Samacsys Manufacturer	Micron
Access Time-Max	15000 ns	Command User Interface	YES
Data Polling	NO	JESD-30 Code	R-PBGA-B63
JESD-609 Code	e1	Length	11 mm
Memory Density	536870912 bit	Memory IC Type	FLASH
Memory Width	8	Number of Functions	1
Number of Sectors/Size	4K	Number of Terminals	63
Number of Words	67108864 words	Number of Words Code	64000000
Operating Mode	ASYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min	-40 °C	Organization	64MX8
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Code	TFBGA
Package Equivalence Code	BGA63,10X12,32	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	Page Size	512 words
Parallel/Serial	PARALLEL	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Programming Voltage	1.8 V	Qualification Status	Not Qualified
Ready/Busy	YES	Seated Height-Max	1.05 mm
Sector Size	16K	Standby Current-Max	0.00005 A
Supply Current-Max	0.02 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	1.95 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Finish	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Form	BALL	Terminal Pitch	0.8 mm
Terminal Position	BOTTOM	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Toggle Bit	NO	Type	SLC NAND TYPE
Width	9 mm

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The NAND512R3A2DZA6E chip is a 512Mb NAND flash memory device that is commonly used in products such as smartphones, tablets, and other electronic devices. It offers high storage capacity with fast read and write speeds, making it ideal for applications that require large amounts of data storage.
Equivalent

The equivalent products of NAND512R3A2DZA6E chip are MT29F512G08CMCABH5-6IT, K9F5608U0D-J, IS42S16320F-7TLI, and W25N05JVA6.
Features

NAND512R3A2DZA6E is a NAND flash memory chip with 512Gb capacity, 3.3V voltage, x8 I/O interface, and A6E package. It features high density storage, fast read/write speeds, and high reliability for a variety of storage applications.
Pinout

The NAND512R3A2DZA6E is a 48-pin NAND flash memory device with a capacity of 512Mb. It is typically used for data storage in electronic devices. The pin functions include data input/output, address input, control signals, and power supply connections.
Manufacturer

The manufacturer of the NAND512R3A2DZA6E is Micron Technology, Inc. Micron is a multinational corporation specializing in computer memory and data storage technology. They produce a wide range of products including dynamic random-access memory (DRAM), flash memory, and solid-state drives (SSDs) for various applications in the computer and electronics industry.
Application Field

The NAND512R3A2DZA6E is commonly used in applications such as solid state drives (SSDs), digital cameras, portable media players, and gaming consoles for data storage and memory expansion. Its high capacity of 512 gigabytes and fast data transfer speeds make it suitable for a wide range of consumer electronics devices.
Package

The NAND512R3A2DZA6E chip is available in a BGA package type with a form factor of 14x18 mm. It has a capacity of 512 Mb (64 MB) with an organization of 4 banks x 16 M x 8 pages x 2048 bytes.