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ST NAND08GW3B2CN6

Ideal for demanding applications requiring high density

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Numonyx Memory Solutions

製造元部品 #: NAND08GW3B2CN6

データシート: NAND08GW3B2CN6 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TSOP48

製品の種類: メモリ

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,375 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NAND08GW3B2CN6 概要

NAND08GW3B2CN6 is a type of NAND Flash memory chip manufactured by Micron Technology. Here are some of its features:

nand08gw3b2cn6

特徴

  • It has a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte) and uses a 3-bit per cell (TLC) architecture.
  • It uses a NAND interface and operates at a voltage range of 2.7V to 3.6V.
  • It has a maximum program/erase cycle endurance of 3000 cycles and a retention time of up to 3 months at 85°C.
nand08gw3b2cn6

応用

  • Consumer electronics such as smartphones, tablets, and portable media players.
  • Solid-state drives (SSDs) used in desktops, laptops, and servers.
  • Automotive applications such as infotainment systems and advanced driver-assistance systems (ADAS).

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Source Content uid NAND08GW3B2CN6 Rohs Code No
Part Life Cycle Code Transferred Ihs Manufacturer STMICROELECTRONICS
Part Package Code TSOP Package Description TSOP1,
Pin Count 48 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 HTS Code 8542.32.00.51
Access Time-Max 35 ns JESD-30 Code R-PDSO-G48
JESD-609 Code e0 Length 18.4 mm
Memory Density 8589934592 bit Memory IC Type FLASH
Memory Width 8 Number of Functions 1
Number of Terminals 48 Number of Words 1073741824 words
Number of Words Code 1000000000 Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 °C Operating Temperature-Min -40 °C
Organization 1GX8 Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code TSOP1 Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE, THIN PROFILE Parallel/Serial PARALLEL
Programming Voltage 3 V Qualification Status Not Qualified
Seated Height-Max 1.2 mm Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V Supply Voltage-Nom (Vsup) 3 V
Surface Mount YES Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING Terminal Pitch 0.5 mm
Terminal Position DUAL

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

同等部品

のために NAND08GW3B2CN6 コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:

部品番号

ブランド

パッケージ

説明

部品番号 :   MT29F8G08ABACAH4-ITD

ブランド :  

パッケージ :  

説明 :  

部品番号 :   H27UCG8T2ETR-BC

ブランド :  

パッケージ :  

説明 :  

部品番号 :   K9F8G08U0B-PIB0

ブランド :  

パッケージ :  

説明 :  

パーツポイント

  • The NAND08GW3B2CN6 is a NAND flash memory chip manufactured by Micron Technology. It offers 8 gigabytes of storage capacity and operates at high speeds for data storage and retrieval. This chip is commonly used in a variety of electronic devices such as smartphones, tablets, and solid-state drives.
  • Equivalent

    Some equivalent products of NAND08GW3B2CN6 chip are Toshiba TC58NYG0S3EBAI4, Micron MT29F8G08ABABAWP, Samsung K9GAG08U0E, and Hynix H27UCG8T2MYR. These chips are all compatible with NAND08GW3B2CN6 in terms of functionality and specifications.
  • Features

    NAND08GW3B2CN6 is a 8Gb NAND flash memory IC that features a page size of 16KB, a block size of 256 pages, a program/erase cycle endurance of 3000 cycles, and a supply voltage range of 2.7V to 3.6V. It also has a x8 I/O interface, a sequential read speed of up to 70MB/s, and a 3.3V Vccq voltage for the core circuit.
  • Pinout

    The NAND08GW3B2CN6 is an 8-channel NAND gate with a maximum input voltage of 3.6V. It has a pin count of 14, with the following functions: Pin 1 and 14 - VCC, Pin 2 and 13 - Output 1, Pin 3 and 12 - Output 2, Pin 4 and 11 - NAND input 1, Pin 5 and 10 - NAND input 2, Pin 6 and 9 - Enable, Pin 7 and 8 - GND.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NAND08GW3B2CN6 is Micron Technology, Inc. Micron is a multinational corporation specializing in the development and production of computer memory and data storage solutions. They are one of the leading providers of NAND flash memory, DRAM modules, and solid-state drives used in a variety of electronic devices.
  • Application Field

    The NAND08GW3B2CN6 is a NAND flash memory device commonly used in a variety of applications such as smartphones, tablet PCs, digital cameras, and solid-state drives. It is suitable for data storage in consumer electronics and computing devices that require high-speed and reliable storage solutions.
  • Package

    The NAND08GW3B2CN6 chip is a 8GB NAND flash memory chip. It comes in a TSOP-48 package type and has a form factor of BGA.

データシート PDF

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