注文金額が
$5000ST NAND08GW3B2CN6
Ideal for demanding applications requiring high density
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ブランド: Numonyx Memory Solutions
製造元部品 #: NAND08GW3B2CN6
データシート: NAND08GW3B2CN6 Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: TSOP48
製品の種類: メモリ
NAND08GW3B2CN6 概要
NAND08GW3B2CN6 is a type of NAND Flash memory chip manufactured by Micron Technology. Here are some of its features:
![nand08gw3b2cn6 nand08gw3b2cn6](/files/uploads/product/b/nand08gw3b2cn620180112203025_6877.jpg)
特徴
- It has a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte) and uses a 3-bit per cell (TLC) architecture.
- It uses a NAND interface and operates at a voltage range of 2.7V to 3.6V.
- It has a maximum program/erase cycle endurance of 3000 cycles and a retention time of up to 3 months at 85°C.
![nand08gw3b2cn6 nand08gw3b2cn6](/files/uploads/product/b/nand08gw3b2cn620180129142929_6653.jpg)
応用
- Consumer electronics such as smartphones, tablets, and portable media players.
- Solid-state drives (SSDs) used in desktops, laptops, and servers.
- Automotive applications such as infotainment systems and advanced driver-assistance systems (ADAS).
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Source Content uid | NAND08GW3B2CN6 | Rohs Code | No |
Part Life Cycle Code | Transferred | Ihs Manufacturer | STMICROELECTRONICS |
Part Package Code | TSOP | Package Description | TSOP1, |
Pin Count | 48 | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8542.32.00.51 |
Access Time-Max | 35 ns | JESD-30 Code | R-PDSO-G48 |
JESD-609 Code | e0 | Length | 18.4 mm |
Memory Density | 8589934592 bit | Memory IC Type | FLASH |
Memory Width | 8 | Number of Functions | 1 |
Number of Terminals | 48 | Number of Words | 1073741824 words |
Number of Words Code | 1000000000 | Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
Operating Temperature-Max | 85 °C | Operating Temperature-Min | -40 °C |
Organization | 1GX8 | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TSOP1 | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Parallel/Serial | PARALLEL |
Programming Voltage | 3 V | Qualification Status | Not Qualified |
Seated Height-Max | 1.2 mm | Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7 V | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3 V |
Surface Mount | YES | Technology | CMOS |
Temperature Grade | INDUSTRIAL | Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Pitch | 0.5 mm |
Terminal Position | DUAL |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
同等部品
のために NAND08GW3B2CN6 コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:
部品番号
ブランド
パッケージ
説明
部品番号 : MT29F8G08ABACAH4-ITD
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : H27UCG8T2ETR-BC
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : K9F8G08U0B-PIB0
ブランド :
パッケージ :
説明 :
パーツポイント
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The NAND08GW3B2CN6 is a NAND flash memory chip manufactured by Micron Technology. It offers 8 gigabytes of storage capacity and operates at high speeds for data storage and retrieval. This chip is commonly used in a variety of electronic devices such as smartphones, tablets, and solid-state drives.
-
Equivalent
Some equivalent products of NAND08GW3B2CN6 chip are Toshiba TC58NYG0S3EBAI4, Micron MT29F8G08ABABAWP, Samsung K9GAG08U0E, and Hynix H27UCG8T2MYR. These chips are all compatible with NAND08GW3B2CN6 in terms of functionality and specifications. -
Features
NAND08GW3B2CN6 is a 8Gb NAND flash memory IC that features a page size of 16KB, a block size of 256 pages, a program/erase cycle endurance of 3000 cycles, and a supply voltage range of 2.7V to 3.6V. It also has a x8 I/O interface, a sequential read speed of up to 70MB/s, and a 3.3V Vccq voltage for the core circuit. -
Pinout
The NAND08GW3B2CN6 is an 8-channel NAND gate with a maximum input voltage of 3.6V. It has a pin count of 14, with the following functions: Pin 1 and 14 - VCC, Pin 2 and 13 - Output 1, Pin 3 and 12 - Output 2, Pin 4 and 11 - NAND input 1, Pin 5 and 10 - NAND input 2, Pin 6 and 9 - Enable, Pin 7 and 8 - GND. -
Manufacturer
The manufacturer of the NAND08GW3B2CN6 is Micron Technology, Inc. Micron is a multinational corporation specializing in the development and production of computer memory and data storage solutions. They are one of the leading providers of NAND flash memory, DRAM modules, and solid-state drives used in a variety of electronic devices. -
Application Field
The NAND08GW3B2CN6 is a NAND flash memory device commonly used in a variety of applications such as smartphones, tablet PCs, digital cameras, and solid-state drives. It is suitable for data storage in consumer electronics and computing devices that require high-speed and reliable storage solutions. -
Package
The NAND08GW3B2CN6 chip is a 8GB NAND flash memory chip. It comes in a TSOP-48 package type and has a form factor of BGA.
データシート PDF
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