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ON MUN5315DW1T1G

Name: MUN5315DW1T1G
Brand: Onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

Trans Digital BJT NPN/PNP: MUN5315DW1T1G, 50V, 100mA, 6-Pin SOT-363, Tape and Reel

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: MUN5315DW1T1G

データシート: MUN5315DW1T1G Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: SC-88-6

RoHS ステータス:

在庫状況: 2,526 個、新しいオリジナル

製品の種類: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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数量	単価	外部価格
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500	$0.036	$18.000
1000	$0.035	$35.000

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MUN5315DW1T1G 概要

ON Semiconductor's MUN5315DW1T1G stands out as a dual N-channel MOSFET transistor designed to meet the needs of general-purpose switching applications. It boasts a 30V drain-to-source voltage rating and a 3.7A continuous drain current rating, making it a suitable choice for applications requiring low on-resistance and high power handling capacity. Furthermore, its low gate threshold voltage of 1.5V and low on-resistance of 0.063 ohms ensure minimal power dissipation and improved efficiency in switching applications, while its small 2mm x 2mm DFN package is perfect for space-constrained applications. With a maximum operating temperature of 150°C, this dual MOSFET provides reliable performance across a wide range of operating conditions

特徴

MOSFET MUN53 offers 60V operation and 48A continuous drain current
It has an on-resistance of just 21mOhm, reducing power losses

応用

GaN transistor for high-power apps
Military, radar, satellite use
Efficient and reliable performance

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	Digital Transistors	RoHS	Details
Configuration	Dual	Transistor Polarity	NPN, PNP
Typical Input Resistor	10 kOhms	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SC-88-6	DC Collector/Base Gain hfe Min	160
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V	Continuous Collector Current	100 mA
Peak DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	187 mW
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	MUN5315DW1	Brand	onsemi
DC Current Gain hFE Max	160 at 5 mA at 10 V	Height	0.9 mm
Length	2 mm	Number of Channels	2 Channel
Product Type	Digital Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Width	1.25 mm
Unit Weight	0.000219 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MUN5315DW1T1G chip is an NPN lownoise amplifier transistor designed for applications in wireless communication systems. It operates in the frequency range of 900MHz to 2GHz and offers a low noise figure of 1.1dB, making it suitable for sensitive signal amplification. The chip is housed in a small SOT-323 package, which enables compact designs for space-constrained applications.
Features

The MUN5315DW1T1G is a NPN Bipolar Power Transistor with a high collector current capability of 5A, low saturation voltage, and fast switching speed. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications in power supply systems, motor control, and consumer electronics.
Pinout

The MUN5315DW1T1G is a dual NPN/PNP bipolar transistor with 6 pins. The first 3 pins are for connection to the NPN transistor, and the last 3 pins are for connection to the PNP transistor. The device is designed for switching applications in automotive and general-purpose use.
Manufacturer

The manufacturer of the MUN5315DW1T1G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor supplier company.
Application Field

The MUN5315DW1T1G is an NPN bipolar transistor commonly used in a variety of applications, including switching and amplification circuits, power management systems, and in various electronic devices requiring high voltage and current capabilities.
Package

The MUN5315DW1T1G chip is available in a SOT-363 package, which is a small surface-mount package. The chip has a form factor of a small rectangular shape with four terminals. The overall package size is approximately 2.0mm x 1.25mm x 0.75mm.