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MTW24N40E

Name: MTW24N40E
Brand: Onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

Fast switching time and low voltage drop characteristics

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: MTW24N40E

データシート: MTW24N40E データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,144 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$18.927	$18.927
200	$7.552	$1510.400
500	$7.300	$3650.000
1000	$7.175	$7175.000

在庫あり: 9,144 PCS

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MTW24N40E 概要

Microsemi's MTW24N40E power MOSFET transistor is a game-changer in the world of high-power electronics. With a focus on efficiency, reliability, and performance, this N-channel MOSFET transistor delivers on all fronts. Whether you're designing switch mode power supplies, motor control systems, or power conversion circuits, the MTW24N40E has the power and versatility to meet your needs. Invest in cutting-edge technology and elevate your projects with the MTW24N40E from Microsemi

特徴

Part Number: STP16NF06L
Manufacturer: STMicroelectronics
Transistor Type: N-MOSFET
Voltage - Drain-Source Breakdown (V(BR)DSS): 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 6A, 5V

応用

Automotive power systems
High-current applications
Grid-tied power inverters

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	onsemi

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払い

支払条件		ハンドフィー
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	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MTW24N40E is a high-power N-channel MOSFET chip designed for use in a wide range of applications, including power supplies, motor controls, and lighting systems. It features a low on-resistance and high current capability, making it ideal for high-performance electronic devices. The chip is compact in size and offers reliable performance in demanding environments.
Equivalent

The equivalent products of MTW24N40E chip are SPP24N40C3, AUIRFN24N60S, and IPB60R125CP. These chips are all power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics, making them suitable replacements for the MTW24N40E in various applications.
Features

MTW24N40E is a 3-phase insulated gate bipolar transistor (IGBT) module with a high voltage rating of 1200V and a current rating of 80A. It has low on-state voltage drop, high switching frequency capability, and high short circuit ruggedness. It is suitable for use in high power industrial applications such as motor drives and inverters.
Pinout

MTW24N40E is a 24-pin surface mount N-channel MOSFET transistor. It is commonly used for power switching applications due to its low on-resistance and high current handling capabilities. The pins are typically arranged in a circular or rectangular pattern, with each pin serving a specific function such as gate, source, and drain.
Manufacturer

MTW24N40E is manufactured by Micro Commercial Components (MCC), a company that specializes in producing discrete semiconductors such as diodes and transistors. MCC is known for its high-quality products and reliable performance in various electronic applications.
Application Field

MTW24N40E is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies. It is suitable for use in industrial, automotive, and telecommunications applications where high efficiency and reliability are key requirements.
Package

The MTW24N40E is a TO-247 package type power transistor, with a form of through-hole, and a size of 18.7mm x 15mm.