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MTB23P06V

Name: MTB23P06V
Rating: 4.5 (10 reviews)

P-CHANNEL TRANSISTOR 60V 23A D2PAK

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: MTB23P06V

データシート: MTB23P06V データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-263-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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特徴

On–resistance Area Product about One–half that of Standard
MOSFETs with New Low Voltage, Low RDS(on)Technology
Faster Switching than E–FET Predecessors
Features Common to TMOS V and TMOS E–FETS
Avalanche Energy Specified
IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature
Static Parameters are the Same for both TMOS V and TMOS E–FET

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TO-263-3
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	23 A
Rds On - Drain-Source Resistance	120 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 15 V, + 15 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	90 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	onsemi	Configuration	Single
Fall Time	62 ns	Forward Transconductance - Min	11.5 S
Height	4.83 mm	Length	10.29 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	98.3 ns
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	41 ns
Typical Turn-On Delay Time	13.8 ns	Width	9.65 mm
Unit Weight	0.139332 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MTB23P06V is a power MOSFET transistor chip designed for use in a wide range of electronic applications. It offers a low on-resistance and high switching speeds, making it ideal for power management and control in various devices. Its compact size and high efficiency make it popular in power electronics and automotive systems.
Equivalent

The equivalent products of the MTB23P06V chip are Infineon IPB23P06S3L-16, ON Semiconductor NTB23P06T4G, and Vishay Siliconix Si7856DP. These chips have similar specifications and functions as the MTB23P06V chip.
Features

- P-channel MOSFET - Maximum Drain-Source Voltage of 60V - Continuous Drain Current of 23A - Low on-resistance of 33 mΩ - TO-263 package - Suitable for applications in power management, motor control, and battery protection circuits
Pinout

The MTB23P06V is a Dual N-Channel Power MOSFET with a pin count of 8. Pin 1 is the source of the first MOSFET, while pin 8 is the source of the second MOSFET. Pins 3 and 6 are the gates of the two MOSFETs, and pins 4 and 5 are their respective drains.
Manufacturer

The manufacturer of the MTB23P06V is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor supplier company that designs, manufactures, and markets a wide range of power and signal management, discrete, and custom devices for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The MTB23P06V can be used in various applications including automotive, industrial, telecom, and consumer electronics. It is commonly utilized as a power MOSFET in switching circuits, motor control, power supplies, and battery management systems. Its high voltage and current ratings make it suitable for applications requiring efficient power management and control.
Package

The MTB23P06V chip is available in a TO-247 package type, with a P-channel MOSFET form. It has a size of 10mm x 24.6mm x 4.6mm.