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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ON MJD45H11-1G

Name: MJD45H11-1G
Rating: 4.5 (10 reviews)

Bipolar Power DPAK PNP 8A 80V; Package: DPAK-3 SINGLE GAUGE; No of Pins: 4; Container: Rail; Qty per Container: 75

ブランド: ON Semiconductor, LLC

製造元部品 #: MJD45H11-1G

データシート: MJD45H11-1G Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-251

RoHS ステータス:

在庫状況: 2500 個、新しいオリジナル

製品の種類: トランジスタ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$0.920	$0.920
10	$0.757	$7.570
30	$0.676	$20.280
75	$0.596	$44.700
525	$0.546	$286.650
975	$0.514	$501.150

In Stock:2500 PCS

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MJD45H11-1G 概要

The Power Bipolar Junction Transistor is designed for general purpose power and switching output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.

特徴

Complementary Pairs Simplifies Designs
Ideal for output stage of audio amplifier
Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves (No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount ("T4" Suffix)
Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series
Low Collector Emitter Saturation>
Fast Switching Speeds
NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant

応用

ONSEMI

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	ON Semiconductor	Product Category:	Bipolar Transistors - BJT
RoHS:	Y	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	DPAK-3	Transistor Polarity:	PNP
Configuration:	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector- Base Voltage VCBO:	5 V	Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1 V	Maximum DC Collector Current:	8 A
Gain Bandwidth Product fT:	90 MHz	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Series:	MJD45H11
Height:	6.35 mm	Length:	6.73 mm
Packaging:	Tube	Width:	2.38 mm
Brand:	ON Semiconductor	Continuous Collector Current:	8 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	60	Pd - Power Dissipation:	20 W
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity:	75
Subcategory:	Transistors	Unit Weight:	0.012346 oz
Tags	MJD45H11-1, MJD45H, MJD45, MJD4, MJD

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MJD45H11-1G chip is a high-power, high-speed NPN transistor designed for a variety of applications in industrial and consumer electronics. It offers a high collector current capability, low saturation voltage, and fast switching times. This chip can be used in motor control, power management, and general-purpose amplification circuits. Overall, it provides efficient and reliable performance in high-demanding environments.
Equivalent

There aren't any exact equivalent products to the MJD45H11-1G chip. However, similar alternatives may include the MJD45H11G, MJD45H11T4G, or MJD45H11T2G.
Features

The MJD45H11-1G is a high voltage NPN power transistor with a 45A collector current capability. It has a fast switching speed and low saturation voltage, making it suitable for applications in power supplies, motor control, and other high current switching circuits. Additionally, it has a built-in flyback diode for protection against voltage spikes.
Pinout

The MJD45H11-1G is a MOSFET transistor with 3 pins. The pin configuration and function are as follows: 1. Pin 1 (Emitter) - Controls the emitter current. 2. Pin 2 (Base) - Controls the current flow through the base-emitter junction. 3. Pin 3 (Collector) - Controls the collector current.
Manufacturer

The MJD45H11-1G is manufactured by STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor and electronics company. They design, develop, and supply a wide range of products, including microcontrollers, sensors, power management solutions, and integrated circuits for various industries such as automotive, industrial, computer and consumer electronics.
Application Field

The MJD45H11-1G is a NPN Darlington transistor designed for switching applications in the automotive industry, particularly for controlling motors, solenoids, and relays. It can also be used in industrial automation, robotics, and other applications that require high current and voltage switching capabilities.
Package

The MJD45H11-1G chip is in a TO-252 package type, also known as a DPAK or SMT package. It has a single form, which is a standard surface-mounted device. The size of the chip is typically around 6.60mm x 6.10mm x 1.75mm.