画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
ON MJD42CT4G
MJD42CT4G is a high-performance PNP bipolar junction transistor designed for general-purpose applications
MJD42CT4G 概要
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD41C (NPN) and MJD42C (PNP) are complementary devices.
特徴
- Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
- Straight Lead Version in Plastic Sleeves (-1 Suffix)
- Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (T4 Suffix)
- Electrically Similar to Popular TIP41 and TIP42 Series
- NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
- These are PbFree Packages
応用
ONSEMI仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | DPAK-3 | Case Outline | 369C |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 2500 |
| ON Target | N | Polarity | PNP |
| Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 1.5 |
| IC Cont. (A) | 6 | VCEO Min (V) | 100 |
| VCBO (V) | 100 | VEBO (V) | 5 |
| VBE(on) (V) | 2 | hFE Min | 15 |
| hFE Max | 75 | fT Min (MHz) | 3 |
| PTM Max (W) | 20 |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The MJD42CT4G is a power transistor chip manufactured by ON Semiconductor. It is a NPN type bipolar junction transistor designed for general-purpose applications that require high switching speeds and high currents. With a voltage rating of 100V and a maximum current of 3A, it is commonly used in a variety of electronic circuits and switching applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the MJD42CT4G chip are MJD45H11CT4G, MJD41CT4G, MJD43CT4G, and MJD44CT4G. These chips are part of the MJD series and offer similar features and specifications. -
Features
The MJD42CT4G is a NPN Darlington transistor with integrated diode and resistor. It has a maximum collector current of 3 A, a low voltage drop of 0.85 V, and a high current gain (hFE) of 1000. It is designed for general-purpose switching applications with enhanced performance and reliability. -
Pinout
The MJD42CT4G is a Darlington transistor with a TO-252 package. It has three pins: the collector (C), the emitter (E), and the base (B). Its main function is to amplify current and switch high loads in applications such as motor control and power management. -
Manufacturer
The manufacturer of the MJD42CT4G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company that designs and produces a wide range of power and signal management, logic, discrete, and custom devices for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The MJD42CT4G is a bipolar transistor with a high current capacity and low saturation voltage. It is commonly used in switching applications, power supplies, and motor control circuits where high currents and low voltage drops are required. -
Package
The MJD42CT4G chip is available in a TO-252AB package type. Its form is a transistor. The size specifications for this package type are approximately 6.7mm x 6.7mm x 3.2mm (LxWxH).
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