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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

K4H561638H-UCB3

Name: K4H561638H-UCB3
Rating: 4.5 (10 reviews)

PDSO66 DDR DRAM 16MX16 0.7ns CMOS

ブランド: Samsung

製造元部品 #: K4H561638H-UCB3

データシート: K4H561638H-UCB3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TSSOP66

製品の種類: MCU

RoHS ステータス:

在庫状況: 4350 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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K4H561638H-UCB3 概要

The K4H561638H-UCB3 is a synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module manufactured by Samsung. It features a capacity of 512 megabytes (MB) organized as 4 banks of 4 megabit (Mbit) x 16 bits. Operating at a voltage of 2.5 volts (V), it supports high-speed data transfer rates up to 166 megatransfers per second (MT/s). This memory module utilizes a double data rate (DDR) interface, enabling it to transfer data on both the rising and falling edges of the clock signal, effectively doubling the data transfer rate compared to traditional SDRAM.With a CAS latency of 3 clock cycles, this module offers fast access times, enhancing overall system performance. It conforms to the JEDEC standard and is designed for use in computing systems such as desktop PCs, laptops, and servers. The K4H561638H-UCB3 incorporates advanced features like auto precharge and auto refresh to optimize memory management and reliability. Its compact form factor and low power consumption make it suitable for various computing applications where high-speed and efficient memory access are essential

特徴

16M x 16 DDR2 SDRAM
High-speed data transfer rates up to 400Mbps
Double data rate architecture
Operates at a power supply voltage of 1.8V
Programmable CAS latency
JEDEC standard 60-ball FBGA package

応用

Mobile phones
Tablets
Internet of Things (IoT) devices
Wearable technology
Smart home devices
Automotive electronics
Digital cameras
Industrial applications
Medical devices
Military and aerospace systems

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Pbfree Code	Yes	Rohs Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Ihs Manufacturer	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.24
Samacsys Manufacturer	SAMSUNG	Access Time-Max	0.7 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)	166 MHz	I/O Type	COMMON
Interleaved Burst Length	2,4,8	JESD-30 Code	R-PDSO-G66
JESD-609 Code	e6	Memory Density	268435456 bit
Memory IC Type	DDR1 DRAM	Memory Width	16
Moisture Sensitivity Level	3	Number of Terminals	66
Number of Words	16777216 words	Number of Words Code	16000000
Operating Temperature-Max	70 °C	Organization	16MX16
Output Characteristics	3-STATE	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Code	TSSOP	Package Equivalence Code	TSSOP66,.46
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Power Supplies	2.3 V
Qualification Status	Not Qualified	Refresh Cycles	8192
Sequential Burst Length	2,4,8	Standby Current-Max	0.003 A
Supply Current-Max	0.33 mA	Supply Voltage-Nom (Vsup)	2.3 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	COMMERCIAL	Terminal Finish	TIN BISMUTH
Terminal Form	GULL WING	Terminal Pitch	0.635 mm
Terminal Position	DUAL

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The K4H561638H-UCB3 chip is a high-density synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip commonly used in electronics such as smartphones, tablets, and other devices. It offers fast data transfer speeds and high storage capacity, making it ideal for demanding applications that require quick and efficient data processing.
Equivalent

The equivalent products of K4H561638H-UCB3 chip are Hynix HY5PS1G831C and Samsung K4H511638G-LCCC chips. They have similar specifications and can be used as alternatives for the K4H561638H-UCB3 chip.
Features

The K4H561638H-UCB3 is a 512MB DDR SDRAM module with a 64Mx64 configuration. It operates at a high-speed clock frequency of 166MHz and is organized as a 4-bank / 4-bank x 8,192 refresh (8,192 cycle), with a 64ms. The module supports 400MHz and is ideal for applications requiring high-speed memory functionality.
Pinout

The K4H561638H-UCB3 is a 512Mb DDR SDRAM chip with a 66-pin package. It has a 66-pin ball grid array (BGA) configuration and is used in computer memory modules. The pin functions include power supply, address inputs, data inputs/outputs, clock inputs, and control signals.
Manufacturer

The manufacturer of the K4H561638H-UCB3 is Samsung. Samsung is a South Korean multinational conglomerate company that specializes in electronics, mobile devices, semiconductors, and other technology products. Samsung is one of the largest technology companies in the world and a leading producer of memory chips and other semiconductor components.
Application Field

The K4H561638H-UCB3 is a 512MB DDR SDRAM module commonly used in desktop computers, laptops, networking equipment, and industrial applications. It is particularly suitable for high-performance computing tasks such as gaming, multimedia editing, and graphics rendering.
Package

The K4H561638H-UCB3 chip comes in a Ball Grid Array (BGA) package. It is in the form of a memory module and has a size of 54mm x 90mm.