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IXTX200N10L2

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXTX200N10L2

データシート: IXTX200N10L2 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXTX200N10L2 概要

Tailored specifically for applications requiring Power MOSFETs to operate in their current saturation regions, these unique devices feature low thermal resistances, high power density, and extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA).When Power MOSFETs are utilized in linear-mode operation, as opposed to their conventional switch-mode one, they are required to endure substantially high thermal and electrical stresses due to the simultaneous occurrence of high drain voltages and currents; these extreme stresses can cause typical devices to fail. Littelfuse LinearL2™ Power MOSFETs have been designed to address these kinds of device failures – the FBSOAs are “extended” when the positive feedback of electro-thermal instability is suppressed, giving rise to larger “operating windows.” The FBSOAs are guaranteed at 75°C.

特徴

  • Designed for linear operation
  • Guaranteed FBSOA at 75°C
  • Low on-resistances R
  • DS(on)
  • Avalanche rated
  • International standard packages
  • UL 94 V-0 Flammability qualified
  • (molding epoxies)

応用

  • E-fuses and hot-swap circuits
  • Battery management
  • Current regulators
  • Linear amplifiers
  • Fan controllers
  • Programmable loads
  • Soft-start control

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: IXYS Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-247-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 200 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 11 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.5 V Qg - Gate Charge: 540 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 1.04 kW Channel Mode: Enhancement
Tradename: Linear L2 Series: IXTX200N10
Packaging: Tube Brand: IXYS
Configuration: Single Fall Time: 27 ns
Forward Transconductance - Min: 55 S Height: 21.34 mm
Length: 16.13 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 225 ns Factory Pack Quantity: 30
Subcategory: MOSFETs Type: Linear L2 Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 127 ns Typical Turn-On Delay Time: 40 ns
Width: 5.21 mm Unit Weight: 0.211644 oz
Series Linear L2™ Package Tube
Product Status Active FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540 nC @ 10 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package PLUS247™-3 Package / Case TO-247-3 Variant
Base Product Number IXTX200

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

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  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

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  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The IXTX200N10L2 chip is a high-power N-channel MOSFET designed for power supply applications. It has a maximum voltage rating of 100V and a continuous drain current of 200A. The chip features low on-state resistance and high switching speed, making it suitable for high power and high frequency applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of IXTX200N10L2 chip are Infineon IPP200N10N3G and IRFZ44NPBF from International Rectifier. These chips have similar specifications and can be used as replacements for the IXTX200N10L2 in various applications.
  • Features

    The IXTX200N10L2 is a high power, high performance MOSFET with a maximum voltage rating of 100V, a continuous drain current of 200A, and low on-resistance. It also features a compact and rugged design, making it ideal for use in power electronics applications such as motor drives, converters, and inverters.
  • Pinout

    The IXTX200N10L2 is a 50-pin power module that functions as a high-efficiency integrated power supply and gate drive solution for industrial applications, such as motors, inverters, and power converters. It features high input voltage, low power dissipation, and built-in protection features for enhanced reliability and performance.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IXTX200N10L2 is Powerex, a leading manufacturer of power semiconductors such as IGBTs, SiCs, and diodes for a wide range of industrial applications. Powerex is a subsidiary of Mitsubishi Electric Corporation and specializes in providing high-quality, reliable power components for improving energy efficiency and performance in various industries.
  • Application Field

    The IXTX200N10L2 is commonly used in applications such as motor drives, power supplies, welding equipment, and industrial automation. It is suitable for high power and high voltage applications due to its robust design and high efficiency.
  • Package

    The IXTX200N10L2 chip comes in a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) package. It is in a TO-268 form factor, also known as a D2PAK (Dual Diode-Pak). The size of the package is approximately 10.29mm x 12.19mm x 4.57mm.

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