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IXTK102N65X2

Name: IXTK102N65X2
Brand: IXYS
Rating: 4.8 (10 reviews)

N-channel 650V 102A Power MOSFET in TO-264 Package

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXTK102N65X2

データシート: IXTK102N65X2 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-264-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$14.428	$14.428
200	$5.583	$1116.600
500	$5.387	$2693.500
1000	$5.290	$5290.000

在庫あり: 9,458 PCS

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IXTK102N65X2 概要

The revolutionary design of the IXTK102N65X2 product is a result of cutting-edge engineering techniques and innovative materials. By incorporating the charge compensation principle and our proprietary process technology, these devices deliver unparalleled performance metrics, including the lowest on-state resistances, minimized gate charges, and superior dv/dt behavior. Moreover, their enhanced avalanche capability enhances ruggedness and longevity in challenging operating environments. The inclusion of a fast soft-recovery body diode further reduces switching losses and electromagnetic interference, making these Ultra-Junction MOSFETs ideal for high-performance applications

特徴

Ultra low on-resistance R
DS(ON)
and gate charge Q
g
Fast body diode
dv/dt ruggedness
Avalanche rated
Low package inductance
International standard packages
Advantages:
Higher efficiency
High power density
Easy to mount
Space savings

応用

High-efficiency power supplies
Efficient electric chargers
Precision motor drives

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	IXYS	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Package / Case:	TO-264-3
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V	Id - Continuous Drain Current:	102 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	30 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V	Qg - Gate Charge:	152 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	1.04 kW	Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	HiPerFET	Series:	X2-Class
Packaging:	Tube	Brand:	IXYS
Configuration:	Single	Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance - Min:	50 S	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	28 ns	Factory Pack Quantity:	25
Subcategory:	MOSFETs	Typical Turn-Off Delay Time:	67 ns
Typical Turn-On Delay Time:	37 ns	Unit Weight:	0.352740 oz
Series	Ultra X2	Package	Tube
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	102A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 51A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	10900 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	1040W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-264 (IXTK)	Package / Case	TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number	IXTK102

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	配送料	リードタイム
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フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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