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IXTH90P10P

Name: IXTH90P10P
Brand: IXYS
Rating: 4.8 (10 reviews)

Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXTH90P10P

データシート: IXTH90P10P データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,485 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXTH90P10P 概要

The IXTH90P10P is a top-of-the-line P-Channel MOSFET, boasting revolutionary Polar technology that sets it apart from its predecessors. With a 30% reduction in on-state resistance (RDSon) and a 40% decrease in gate charge (Qg), this MOSFET offers unparalleled performance and efficiency. Its superior switching capabilities make it ideal for a wide range of applications, from industrial to automotive

特徴

Ruggedized for harsh environments
High-frequency performance
Low capacitance design
Simplified PCB layout

応用

Welding equipment
Switched-mode power supplies
Frequency converters

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Series	PolarP™	Package	Tube
Product Status	Active	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 45A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5800 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	462W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247 (IXTH)	Package / Case	TO-247-3
Base Product Number	IXTH90

配送

	配送料	リードタイム
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フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IXTH90P10P is a high-performance power MOSFET chip designed for use in power management applications. It offers a low on-state resistance and high switching speed, making it ideal for power conversion and motor control applications. The chip operates at a high current of 90A and a voltage of 100V, making it suitable for a wide range of power electronics applications.
Equivalent

Some equivalent products of IXTH90P10P chip are IXTH90N10, IXTH70N10, IXTH70P10, IXTH80N16, and IXTRP90N055TBP. These chips offer similar performance characteristics, making them suitable replacements for the IXTH90P10P in various applications.
Features

Some features of IXTH90P10P include a high power density, high voltage blocking capability, fast switching speeds, and low on-resistance. It is designed for high-efficiency applications such as power supplies, motor control, and inverters, where high performance and reliability are key requirements.
Pinout

The IXTH90P10P is a power MOSFET with a TO-247 package. It has a pin count of 3, with the following functions: Pin 1 (Gate), Pin 2 (Drain), and Pin 3 (Source). It is designed for power switching applications in industrial, automotive, and consumer electronics.
Manufacturer

The IXTH90P10P is manufactured by IXYS Corporation. IXYS is a power semiconductor company that designs, develops, and manufactures high-performance power semiconductors, including rectifiers, thyristors, MOSFETs, IGBTs, and power modules. They serve a wide range of industries, including industrial, automotive, aerospace, and telecommunications.
Application Field

The IXTH90P10P is a power MOSFET transistor that can be used in various applications, including switch mode power supplies, motor control, and electronic lighting ballasts. It is suitable for high power applications due to its low on-resistance and high current capability.
Package

The IXTH90P10P chip is available in a TO-247 package, with a through hole mounting type. Its size is approximately 20mm x 30mm x 8mm.