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IXTH12N120

Name: IXTH12N120
Rating: 4.5 (10 reviews)

The IXTH12N120 is a N-channel MOSFET featuring a voltage rating of 1

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXTH12N120

データシート: IXTH12N120 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXTH12N120 概要

N-Channel 1200 V 12A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

特徴

International standard package JEDEC TO-247 AD
Low RDS (on) HDMOSTM process
Rugged polysilicon gate cell structure
Fast switching times

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	IXYS	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole	Package / Case:	TO-247-3
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	1.2 kV	Id - Continuous Drain Current:	12 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.4 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 30 V, + 30 V
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	500 W	Channel Mode:	Enhancement
Packaging:	Tube	Brand:	IXYS
Configuration:	Single	Fall Time:	17 ns
Height:	21.46 mm	Length:	16.26 mm
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	25 ns
Factory Pack Quantity:	30	Subcategory:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time:	35 ns
Typical Turn-On Delay Time:	24 ns	Width:	5.3 mm
Unit Weight:	0.211644 oz

配送

	配送料	リードタイム
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フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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支払条件		ハンドフィー
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	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IXTH12N120 is a high-voltage, high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for use in power electronics applications. It offers low saturation voltage and high switching speed, making it ideal for use in motor drives, inverters, and other high-power industrial applications.
Equivalent

Some equivalent products of the IXTH12N120 chip include the IXTH20N120, IXTH22N120, and IXTH25N120. These chips are also power MOSFETs designed for high power switching applications, with similar specifications and performance characteristics to the IXTH12N120.
Features

The IXTH12N120 is a high-speed, high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) designed for use in high-frequency switching applications. It features a low VCE(sat) and low switching losses, making it suitable for various power electronics applications such as motor drives, inverters, and power supplies.
Pinout

IXTH12N120 is a power MOSFET transistor with a TO-247 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). It is designed for high power applications up to 12A and 1200V.
Manufacturer

IXTH12N120 is manufactured by IXYS Corporation, a semiconductor company specializing in power semiconductors, integrated circuits, and RF power products. Established in 1983, IXYS focuses on developing innovative solutions for energy efficiency, renewable energy, and power management applications.
Application Field

IXTH12N120 is a high-performance MOSFET with a continuous drain current of 12A and a breakdown voltage of 1200V. It is suitable for applications such as switch-mode power supplies, motor control, renewable energy systems, and industrial equipment where high voltage and high current handling capabilities are required.
Package

The IXTH12N120 chip is a power transistor with a TO-247 package type, through-hole form, and a size of 22.5mm x 10.67mm.