注文金額が
$5000IXTH110N10L2
IXTH110N10L2: MOSFET engineered for linear power delivery
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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ブランド: LITTELFUSE INC
製造元部品 #: IXTH110N10L2
データシート: IXTH110N10L2 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-247-3
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
IXTH110N10L2 概要
For applications requiring Power MOSFETs to function in their current saturation regions, the IXTH110N10L2 offers unmatched performance and durability. By incorporating low thermal resistances and high power density, these devices can handle the rigorous thermal and electrical stresses that come with linear-mode operation. With an extended Forward Bias Safe Operating Areas (FBSOA), these MOSFETs mitigate the risk of device failures caused by extreme stresses, ensuring reliability even under high drain voltages and currents
![IXTH110N10L2 IXTH110N10L2](/files/uploads/product/b/fc5c0465aa10422b988ff745855ccbff.webp)
特徴
- Compact design footprint
- Efficient power consumption
- Simplified system integration
- Improved overall performance
応用
- Current sensors
- Voltage references
- Amplifier modules
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | LITTELFUSE INC | Package Description | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | LITTELFUSE | Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 3000 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (ID) | 110 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.018 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-247AD |
JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | JESD-609 Code | e3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 600 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 300 A |
Surface Mount | NO | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The IXTH110N10L2 is a power MOSFET chip designed for high voltage applications. It has a maximum drain-source voltage of 1000V and a low on-resistance, making it suitable for power switching in various electronic devices. The chip is built with advanced technology to ensure efficient and reliable performance, making it an ideal choice for power conversion and control circuits.
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Equivalent
The equivalent products of the IXTH110N10L2 chip include IXTH100N10L2, IXTH120N10L2, IXTH140N10L2, and IXTH160N10L2. -
Features
The key features of the IXTH110N10L2 are: - Power MOSFET transistor - Low on-resistance - VDSS voltage rating of 100V - ID continuous current rating of 110A - Fast switching speed - Low gate charge - TO-247 package type - Suitable for a variety of high power applications. -
Pinout
The IXTH110N10L2 is a MOSFET transistor with a TO-220 package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXTH110N10L2 is IXYS Corporation. IXYS Corporation is a global company that specializes in the design, manufacture, and marketing of power semiconductors, integrated circuits, and other electronic devices. They cater to various industries such as automotive, consumer electronics, industrial, and telecommunications. -
Application Field
The IXTH110N10L2 is a power MOSFET transistor that is commonly used in various applications, including motor control, power supplies, consumer electronics, battery chargers, and solid-state relays. -
Package
The IXTH110N10L2 chip is a power MOSFET transistor packaged in a TO-247 form. It has a size of approximately 15.75mm x 20.07mm x 5.84mm (0.62" x 0.79" x 0.23").
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