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IXKR25N80C
High voltage 25 amp N-channel MOSFET in ISOPLUS 247 package
ブランド: IXYS
製造元部品 #: IXKR25N80C
データシート: IXKR25N80C データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-247-3
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $20.282 | $20.282 |
| 200 | $7.850 | $1570.000 |
| 500 | $7.573 | $3786.500 |
| 1000 | $7.437 | $7437.000 |
在庫あり: 9,458 PCS
IXKR25N80C 概要
Product IXKR25N80C is a Power MOSFET featuring Super Junction technology, delivering the lowest RDS(on) in the 600V-800V class of MOSFETs. With internal DCB isolation, this product simplifies assembly and reduces thermal resistance from junction to heat sink. Additionally, these devices are Avalanche rated, ensuring rugged operation and reliable performance in challenging conditions
特徴
- High-speed switching capability
- Robust electromagnetic interference (EMI) filtering
- High-reliability wire bonding technology
- Epoxy-encapsulated design
応用
- Precision welding
- Fast heating
- Convenient assembly
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | Qg - Gate Charge: | 180 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | CoolMOS | Series: | IXKR25N80 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 6 ns |
| Height: | 21.34 mm | Length: | 16.13 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 15 ns |
| Factory Pack Quantity: | 30 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns | Width: | 5.21 mm |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
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すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The IXKR25N80C is a high-voltage, high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for applications requiring efficient power switching. It operates with a voltage rating of 800V and a current rating of 25A. The chip's features include low VCE(sat), fast switching, and a built-in diode for freewheeling. This makes it suitable for use in industrial motor drives, UPS systems, and power supplies.
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Equivalent
The IXKR25N80C is a MOSFET transistor. Equivalent products include IRFP4768PBF, FDPF18N50T, and STW9N150. Always check datasheets for specific requirements. -
Features
The IXKR25N80C is a high-voltage MOSFET transistor with a VDS rating of 800V, a maximum current of 25A, and a low on-state resistance for efficient power handling. It features fast switching characteristics suitable for various power electronic applications. -
Pinout
The IXKR25N80C is a MOSFET transistor with a TO-247 package. It typically has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins. It's primarily used in power electronics applications for switching and amplification purposes. -
Manufacturer
The manufacturer of the IXKR25N80C is IXYS Corporation. It is a semiconductor company that designs and produces power semiconductors, advanced mixed-signal ICs, and digital ICs. It serves a wide range of industries such as automotive, aerospace, and renewable energy. -
Application Field
The IXKR25N80C can be used in various applications such as switch mode power supplies, hard switching circuits, welding equipment, induction heating, and motor control. It is a high-voltage, high-current rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that can efficiently handle loads in these applications. -
Package
The IXKR25N80C chip comes in a TO-247 package, has a discrete form, and its size is approximately 15.87mm x 20.57mm x 4.83mm (0.625" x 0.809" x 0.190").
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