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IXGQ90N33TCD1

Name: IXGQ90N33TCD1
Rating: 4.5 (10 reviews)

This product is a Trans IGBT Chip designed for high-power applications with a 330V voltage threshold

ブランド: Ixys

製造元部品 #: IXGQ90N33TCD1

データシート: IXGQ90N33TCD1 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-3P

製品の種類: Single IGBTs

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,610 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXGQ90N33TCD1 概要

IGBT Trench 330 V 90 A 200 W Through Hole TO-3P

特徴

High-performance applications with low-power consumption
Efficient power conversion for improved efficiency

応用

UPS systems
Industrial machinery
Battery chargers

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	IGBT Transistors	RoHS	Details
Technology	Si	Package / Case	TO-3P
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	330 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	90 A
Pd - Power Dissipation	200 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Brand	IXYS
Gate-Emitter Leakage Current	200 nA	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	IGBTs
Unit Weight	0.194007 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IXGQ90N33TCD1 chip is a high-power GaN transistor designed for radio frequency and power amplifier applications. It offers high efficiency, high power density, and high voltage capabilities, making it ideal for use in demanding RF and power amplifier systems.
Equivalent

The equivalent products of IXGQ90N33TCD1 chip are Infineon's CoolMOS N-Channel Power MOSFETs such as IPA60R190C6, IPB60R190C6, and IPD60R190C6. These products offer similar functionalities and characteristics, making them suitable replacements for the IXGQ90N33TCD1 chip.
Features

1. GaN-on-SiC technology for high power and efficiency 2. 90W minimum power 3. 330-360 MHz frequency 4. Lightweight and compact design 5. High temperature operation up to 110°C 6. Integrated matching network for easy integration into RF systems
Pinout

The IXGQ90N33TCD1 is a power MOSFET with a pin count of 3. The functions of the pins are gate, drain, and source, used for controlling the flow of current in the circuit.
Manufacturer

IXGQ90N33TCD1 is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company. Infineon specializes in the production of power semiconductors, automotive semiconductors, and sensors.
Application Field

The IXGQ90N33TCD1 is a high-power RF transistor commonly used in applications such as aerospace, defense, industrial, and medical equipment. It is suitable for high-frequency amplification, radar systems, and satellite communication. Its advanced technology and high performance make it ideal for demanding RF power applications in various industries.
Package

The IXGQ90N33TCD1 chip is packaged in a TO-220 form, with a size of 10.1mm x 18mm x 3.5mm.