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IXGH30N120B3D1

Name: IXGH30N120B3D1
Brand: IXYS
Rating: 4.8 (10 reviews)

0N120B3D1, IGBT PT 1200 V 300 W Through Hole TO-247AD":

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXGH30N120B3D1

データシート: IXGH30N120B3D1 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

製品の種類: Single IGBTs

RoHS ステータス:

在庫状況: 5,307 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXGH30N120B3D1 概要

The IXGH30N120B3D1 GenX3™ IGBT is a cutting-edge product revolutionizing the power conversion market. With a voltage range from 300V to 1200V, these IGBTs offer a wide range of current capabilities from 42A to 120A, catering to a variety of switching applications. The Punch-Through (PT) technology used in the manufacturing process ensures high surge current capabilities, lower saturation voltage, and energy losses, making them comparable to rugged power MOSFETs

特徴

Innovative design and development
High efficiency performance guaranteed

応用

Compact power module
Durable inverter technology
Cost-effective power solution

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Series	GenX3™	Package	Tube
Product Status	Active	IGBT Type	PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V	Current - Collector Pulsed (Icm)	150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.5V @ 15V, 30A	Power - Max	300 W
Switching Energy	3.47mJ (on), 2.16mJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	87 nC	Td (on/off) @ 25°C	16ns/127ns
Test Condition	960V, 30A, 5Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	100 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3	Supplier Device Package	TO-247AD
Base Product Number	IXGH30

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払条件		ハンドフィー
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	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IXGH30N120B3D1 is a high-performance insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for power electronic applications. It has a maximum voltage rating of 1200V and can handle current up to 60A. This chip is commonly used in motor drives, inverters, and power supplies due to its high switching frequency and low on-state voltage.
Equivalent

Some equivalent products of the IXGH30N120B3D1 chip include the IXGN50N120PB3, IXGR50N60C2D1, and the IXGH30N60B3D1. These are all high power insulated gate bipolar transistors (IGBT) suitable for switching applications in power electronics.
Features

1. 1200V Power MOSFET 2. 30A continuous current rating 3. Low thermal resistance 4. Fast switching speed 5. Low on-state resistance 6. Avalanche ruggedness 7. RoHS compliant 8. TO-247 package for easy mounting and heatsinking.
Pinout

The IXGH30N120B3D1 is a high power IGBT module with a pin count of 14. The main functions of this module include switching and amplifying high voltage and high current signals in power electronics applications.
Manufacturer

IXYS Corporation is the manufacturer of the IXGH30N120B3D1. It is a global semiconductor company that specializes in power and advanced mixed-signal semiconductor products. They offer a range of high-performance products for various industries such as automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.
Application Field

The IXGH30N120B3D1 is a high power IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) that can be used in various applications such as motor drives, UPS, solar inverters, welding equipment, and induction heating systems. It is suitable for high power and high frequency switching applications where efficiency and reliability are critical.
Package

The IXGH30N120B3D1 chip comes in a TO-247 package type, with a single channel insulated-gate bipolar transistor (IGBT) form. It has a size of 10.00mm x 29.29mm x 5.84mm.