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IXFN64N60P

Name: IXFN64N60P
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXFN64N60P

データシート: IXFN64N60P データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-227B

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,667 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXFN64N60P 概要

Designed with precision and innovation in mind, the Polar™ HiPerFETs deliver exceptional performance characteristics that set them apart from traditional power MOSFETs. With a focus on efficiency and speed, this product family offers a reliable solution for demanding applications in the fields of motor control and power supply management

特徴

High Reliability Rate
Low Crosstalk Risk
Fault-Tolerant Design

応用

Inverters for Solar Panels
LED Driver Circuits
Induction Heating Systems

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer	IXYS	Product Category	Discrete Semiconductor Modules
RoHS	Details	Product	Power MOSFET Modules
Type	HiperFET	Technology	Si
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Mounting Style	Screw Mount
Package / Case	SOT-227-4	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	IXFN64N60
Brand	IXYS	Configuration	Single
Fall Time	24 ns	Height	9.6 mm
Id - Continuous Drain Current	50 A	Length	38.2 mm
Number of Channels	1 Channel	Pd - Power Dissipation	700 W
Product Type	Discrete Semiconductor Modules	Rds On - Drain-Source Resistance	96 mOhms
Rise Time	23 ns	Factory Pack Quantity	10
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Tradename	HiPerFET
Transistor Polarity	N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	79 ns
Typical Turn-On Delay Time	28 ns	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Width	25.07 mm

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IXFN64N60P is a high voltage, high power MOSFET chip designed for use in various applications such as power supplies, motor control, and inverters. It has a maximum voltage rating of 600V and a current rating of 64A. This chip offers low on-state resistance and fast switching speeds, making it ideal for high power applications that require efficient performance.
Equivalent

Some equivalent products to the IXFN64N60P chip are Infineon's IPP60R360C6, STMicroelectronics' STGWT40V60DF, and Fairchild Semiconductor's FGH60N60SMD. These MOSFETs have similar specifications and performance characteristics to the IXFN64N60P.
Features

The IXFN64N60P is a 600V high-speed switching IGBT that offers low Vce(sat) and high switching speed. It has a rugged and reliable design for demanding applications. This IGBT also features a high current capability and low gate charge, making it ideal for power factor correction, UPS, and motor drive applications.
Pinout

The IXFN64N60P is a 3-pin IGBT transistor with a TO-268 package. It is a N-channel SiC power MOSFET with a maximum current rating of 64A and a breakdown voltage of 600V. Its function is to switch high-power loads in industrial applications.
Manufacturer

IXFN64N60P is manufactured by IXYS Corporation. IXYS Corporation is a global power semiconductor and integrated circuit manufacturer. They specialize in the development, manufacturing, and marketing of advanced power semiconductor devices, integrated circuits, and modules. Their products are used in a wide range of industries including automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.
Application Field

IXFN64N60P is a high-voltage, high-current IGBT designed for use in power supply, motor control, and welding applications. It is commonly used in industrial automation, renewable energy systems, and electric vehicle charging stations. Its high power handling capability and low switching losses make it ideal for high power applications that require efficient and reliable operation.
Package

The IXFN64N60P chip is a power semiconductor made in a TO-268 package. It has a module form and size of 14 mm x 28 mm x 6 mm.