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IXFN26N90
ROHS SOT-227B MOSFETs IXFN26N90
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ブランド: Littelfuse
製造元部品 #: IXFN26N90
データシート: IXFN26N90 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-227-4
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,466 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
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1 | $73.860 | $73.860 |
200 | $29.472 | $5894.400 |
500 | $28.486 | $14243.000 |
1000 | $28.000 | $28000.000 |
在庫あり: 9,466 PCS
IXFN26N90 概要
The N-Channel HiPerFET™ Standard series, featuring the renowned Power MOSFETs, is a top choice for various applications requiring efficient power handling. With its low gate charge and robust design, this series excels in both hard switching and resonant mode operations. Its fast intrinsic diode further enhances performance, making it a reliable option for industrial use. Available in a range of standard packages, including isolated types, the HiPerFET™ Standard series offers flexibility and convenience for diverse projects
特徴
- Miniaturized Package
- High Efficiency Operation
- Auxiliary Diode Included
応用
- User-friendly operation
- Intelligent power control
- Safe and reliable
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
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Drain-Source Voltage (V) | 900 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.3 |
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 26 | Gate Charge (nC) | 240 |
Input Capacitance, CISS (pF) | 8700 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.21 |
Configuration | Single | Package Type | SOT-227 |
Power Dissipation (W) | 600 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 250 |
Sample Request | No |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The IXFN26N90 is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip designed for high voltage and high current applications. It has a voltage rating of 900V and can handle a continuous current of 26A. With low on-resistance and fast switching capabilities, the IXFN26N90 is widely used in power supplies, motor controls, and other high-power applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the IXFN26N90 chip are FJAF6810, FS70SMJ-03, and IRG7PH42U. These are all power MOSFET transistors with similar specifications and characteristics to the IXFN26N90 chip. -
Features
IXFN26N90 is a high power MOSFET with a voltage rating of 900V and a maximum current rating of 26A. It has low on-resistance, high switching speed, and high pulse current capability, making it suitable for use in power supplies, inverters, and motor control applications. -
Pinout
IXFN26N90 is a power MOSFET with a TO-247 package, which has 3 pins. The pin configuration is source, gate, and drain. The MOSFET is designed for high power applications in industrial and automotive sectors, providing efficient switching and low on-resistance. -
Manufacturer
IXFN26N90 is manufactured by IXYS Corporation, which is a global semiconductor company specializing in the design and production of power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. They provide products to various industries such as transportation, communication, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
IXFN26N90 is a high performance MOSFET commonly used in power supply, motor control, and renewable energy applications. It is suitable for high frequency switching applications in industrial and automotive systems, as well as power management in telecommunications and consumer electronics. -
Package
The IXFN26N90 chip is a power MOSFET transistor with a TO-268 package type, radial form, and size dimensions of 10.67mm x 9.1mm x 4.7mm. It is designed for high power applications and offers low on-resistance and high current-handling capabilities.
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