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IXFN24N100
N-channel MOSFET IXFN24N100 in SOT-227B form factor
ブランド: IXYS
製造元部品 #: IXFN24N100
データシート: IXFN24N100 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-227-4
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $110.467 | $110.467 |
| 200 | $44.078 | $8815.600 |
| 500 | $42.604 | $21302.000 |
| 1000 | $41.877 | $41877.000 |
在庫あり: 9,458 PCS
IXFN24N100 概要
The N-Channel HiPerFET™ Standard series, epitomized by product IXFN24N100, provides a versatile selection of Power MOSFETs tailored for various applications requiring low gate charge and exceptional ruggedness. Whether it be hard switching or resonant mode operations, this series offers a fast intrinsic diode and is designed to withstand the demands of industrial settings. From isolated package options to the reliability of popular Power MOSFETs, the HiPerFET™ Standard series delivers on both performance and durability
特徴
- Ultra-Low Power Consumption
- High-Speed Data Transfer
- Multimode Operation
- Integrated Power Management
応用
- Optimal power management
- Seamless integration compatibility
- Consistent performance output
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Type: | HiperFET | Technology: | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
| Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | HiPerFET |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 21 ns |
| Height: | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Length: | 38.23 mm | Number of Channels: | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 568 W | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 390 mOhms | Rise Time: | 35 ns |
| Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Tradename: | HyperFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV | Width: | 25.42 mm |
| Unit Weight: | 1.058219 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
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私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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IXFN24N100 is a high power MOSFET chip with a voltage rating of 1000V and a current rating of 24A. It is designed for use in high power applications such as motor drives, power supplies, and inverters. The chip features low on-resistance and high efficiency, making it suitable for demanding power electronics applications.
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Equivalent
The equivalent products of the IXFN24N100 chip are the IXYS IXFN25N120P3 and the Infineon IPP60R190CP. These are both power MOSFETs with similar specifications and performance capabilities. -
Features
- IXFN24N100 is a 1000V and 24A silicon carbide MOSFET - Low on-resistance and fast switching - High temperature operation up to 175°C - High reliability and efficiency in power electronic applications - Low gate charge and gate voltage - Ideal for use in high power applications such as motor drives, inverters, and power supplies -
Pinout
The IXFN24N100 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pin functions are gate (G), drain (D), and source (S). The transistor is typically used for high voltage, high-speed switching applications in power electronics. -
Manufacturer
IXFN24N100 is manufactured by IXYS Corporation, which is a global semiconductor company specializing in power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. IXYS Corporation serves industries such as transportation, industrial, medical, and energy by providing high-performance and reliable semiconductor solutions. -
Application Field
IXFN24N100 is a power MOSFET transistor that can be used in applications such as power supplies, motor control, inverters, and other high voltage switching applications. It is designed to handle high current and high voltage levels, making it suitable for a wide range of power electronics applications. -
Package
The IXFN24N100 chip is a TO-3P package type, with a form of TO-247, and a size of 10.5mm x 24mm.
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