このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

IXFN210N20P

Durable and compact IXFNP for harsh environment condition

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Littelfuse

製造元部品 #: IXFN210N20P

データシート: IXFN210N20P データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-227-4

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,548 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

簡単な見積もり

RFQを提出してください IXFN210N20P またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

IXFN210N20P 概要

The IXFN210N20P is a top-of-the-line MOSFET transistor that has been expertly crafted for use in demanding applications where efficiency and dependability are key. With a robust N-channel enhancement mode and a maximum drain-source voltage rating of 200V, this powerhouse component can handle continuous drain currents of up to 80A with ease

特徴

  • High-Speed Data Transfer
  • Low Power Consumption Mode
  • Multichannel Communication
  • Data Encryption Security

応用

  • Efficient Energy Utilization
  • Adaptable Power Conversion
  • Dynamic Load Response

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Drain-Source Voltage (V) 200 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.0105
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 188 Gate Charge (nC) 255
Input Capacitance, CISS (pF) 18600 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.14
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 1070 Maximum Reverse Recovery (ns) 200
Sample Request Yes

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • IXFN210N20P is a power MOSFET chip designed for high power applications, with a voltage rating of 200V and a current rating of 210A. It has low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for use in power supplies, motor controls, and other high power circuits.
  • Equivalent

    The equivalent products of the IXFN210N20P chip include the Infineon Technologies IPD210N20N3, the ON Semiconductor NGTB25N120L3WG, and the Vishay Siliconix SiHG171N20. These devices are all similar power MOSFETs with similar specifications and features.
  • Features

    IXFN210N20P is a MOSFET transistor with a drain-source voltage of 200V, continuous drain current of 210A, and low on-resistance of 16mΩ. It has a compact TO-264 package with high power density and is ideal for automotive, industrial, and motor control applications.
  • Pinout

    The IXFN210N20P is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are for the gate, drain, and source of the transistor. The function of this transistor is to control the flow of electrical current in a circuit, making it ideal for use in power switching applications.
  • Manufacturer

    IXYS Corporation is the manufacturer of the IXFN210N20P. IXYS Corporation is a global technology company focusing on the development and production of power semiconductors, advanced mixed-signal integrated circuits, high voltage power systems, and digital controllers. They serve a variety of industries including power management, aerospace, telecommunications, and automotive.
  • Application Field

    The IXFN210N20P is commonly used in applications requiring high-power density such as electric vehicles, renewable energy systems, and industrial motor drives. It can also be used in power supplies, uninterruptible power supplies (UPS), and inverter systems due to its high efficiency and compact size.
  • Package

    The IXFN210N20P is a power MOSFET transistor chip. It comes in a surface-mount TO-268 package. The package size is 10.16mm x 15.24mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • AO4292E

    AO4292E

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

  • VQ1004P

    VQ1004P

    Vishay

    VQ1004P by Siliconix

  • STS4DPF30L

    STS4DPF30L

    Stmicroelectronics

    Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

  • STS9D8NH3LL

    STS9D8NH3LL

    STMicroelectronics

    Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

  • RFP30P05

    RFP30P05

    Onsemi

    MOSFET Power P-Channel TO-220AB

  • NE3210S01-T1B

    NE3210S01-T1B

    Cel

    High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...