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IXFN180N25T
Trans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
ブランド: IXYS
製造元部品 #: IXFN180N25T
データシート: IXFN180N25T データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-227-4
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
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1 | $19.811 | $19.811 |
200 | $7.667 | $1533.400 |
500 | $7.398 | $3699.000 |
1000 | $7.265 | $7265.000 |
在庫あり: 9,458 PCS
IXFN180N25T 概要
With the IXFN180N25T, you get more than just a standard power MOSFET – you get a cutting-edge solution for your low voltage and high current needs. Its ultra-low RDS(on) not only saves power but also delivers superior performance in tough conditions. From automotive applications to other demanding environments, this MOSFET is designed to excel and provide long-lasting reliability
特徴
- High Current Handling Capability Available
- Space-Saving Package Design
- Fast Response Time
応用
- Efficient power supply
- Reliable DC converter
- Advanced battery charger
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
Type: | GigaMOS Power MOSFET | Technology: | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | IXFN180N25 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 20 ns |
Height: | 12.22 mm | Id - Continuous Drain Current: | 168 A |
Length: | 38.23 mm | Number of Channels: | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation: | 900 W | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.9 mOhms | Rise Time: | 52 ns |
Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename: | HiPerFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 88 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Width: | 25.42 mm |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The IXFN180N25T is a high-performance power MOSFET chip designed for use in high-power applications. It features a low on-state resistance and high current handling capabilities, making it ideal for power conversion and motor control applications. The chip is known for its reliability and efficiency in managing high-power systems.
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Equivalent
Equivalent products of IXFN180N25T chip include STW75N20 FET, IRFP4768 MOSFET, and AUIRFN8459 FET. -
Features
The IXFN180N25T is a Power MOSFET designed for high power applications with a voltage rating of 250V and a current rating of 180A. It features low on-state resistance for efficient power handling, low gate charge for fast switching, and a rugged construction for reliable performance in demanding environments. -
Pinout
The IXFN180N25T is a TO-268 package type Power MOSFET with a pin count of 3. The pins are Gate, Drain, and Source. This device is used for power switching applications in a variety of industrial and automotive applications. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of the IXFN180N25T. IXYS Corporation is a global semiconductor company specializing in power and analog semiconductors. They design and produce a wide variety of products for a range of applications such as power conversion, motor control, and renewable energy. -
Application Field
IXFN180N25T is a high voltage MOSFET designed for use in power supply, DC-DC converters, motor control, and other high voltage applications. It is suitable for applications that require high efficiency, low conduction losses, and high frequency operation. -
Package
The IXFN180N25T chip is in a TO-247 package, with a through-hole form. It has a size of 31.5mm x 15.9mm.
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豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
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最小注文数量は1個からとなります。
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全商品365日品質保証