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IXBH32N300

Name: IXBH32N300
Brand: IXYS
Rating: 4.8 (10 reviews)

N-Channel IGBT Chip Transistor with 3000V 80A 400W TO-247AD package

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXBH32N300

データシート: IXBH32N300 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

製品の種類: Single IGBTs

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,494 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXBH32N300 概要

Additionally, the built-in intrinsic body diode serves as a protective measure, offering an alternative path for inductive load current during device turn-off. This feature effectively prevents high voltage transients caused by high Ldi/dt, safeguarding the device from potential damage and ensuring its long-term durability

特徴

Silicon carbide MOSFET advantage
Reduced switching losses ensured
High power density achieved

応用

Switched-mode supplies
High voltage equipment
Test equipment

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Series	BIMOSFET™	Package	Tube
Product Status	Active	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	3000 V
Current - Collector (Ic) (Max)	80 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	280 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 32A	Power - Max	400 W
Input Type	Standard	Gate Charge	142 nC
Reverse Recovery Time (trr)	1.5 µs	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Package / Case	TO-247-3
Supplier Device Package	TO-247AD

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IXBH32N300 is a high voltage, high speed, IIrexMOS RF power MOSFET designed for RF energy applications in the 1.8 to 250 MHz frequency range. It is ideal for use in RF energy systems, industrial heating, and plasma generation applications. The chip features high gain and efficiency, making it suitable for a wide range of RF energy applications.
Equivalent

The equivalent products of IXBH32N300 chip are IXBH32N400, IXBH32N450, and IXBH32N500.
Features

The IXBH32N300 is a high-speed, high-voltage power MOSFET with a maximum drain-to-source voltage of 300V and a maximum continuous drain current of 32A. It features low on-state resistance, fast switching speeds, and a compact TO-268 package, making it suitable for a wide range of power electronics applications.
Pinout

The IXBH32N300 has a pin count of 9 and is a high-voltage, high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for use in high power switching applications. It is commonly used in motor drives, induction heating, and other power electronics applications.
Manufacturer

The IXBH32N300 is manufactured by the company IXYS Corporation, a global supplier of power semiconductors and integrated circuits. They specialize in providing power electronics components for a wide range of industries, including renewable energy, industrial, medical, and transportation.
Application Field

The IXBH32N300 is commonly used in applications such as solar inverters, induction heating systems, and motor control due to its high efficiency and fast switching capabilities. It is also suitable for use in switching power supplies, welding equipment, and other industrial power electronic systems requiring high voltage and high current handling capabilities.
Package

The IXBH32N300 chip is a power module that comes in a surface mount package. It has a form factor of module and a size of 7.5mm x 7.5mm x 1.7mm.