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IRLD120PBF

Name: IRLD120PBF
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (10 reviews)

MOSFET 100V N-CH HEXFET HEXDI

ブランド: Vishay Siliconix

製造元部品 #: IRLD120PBF

データシート: IRLD120PBF データシート (PDF)

パッケージ/ケース: DIP-4

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,115 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$0.816	$0.816
10	$0.677	$6.770
30	$0.608	$18.240
100	$0.539	$53.900
500	$0.498	$249.000
1000	$0.476	$476.000

在庫あり: 8,115 PCS

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IRLD120PBF 概要

Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP-4

特徴

High-temperature operation
Pulse-duration modulation
Fast turn-on capability
Silicon-controlled rectifier performance

応用

SWITCHING

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.3A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 780mA, 5V	Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V	Vgs (Max)	±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 25 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Supplier Device Package	4-HVMDIP
Package / Case	4-DIP (0.300", 7.62mm)

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IRLD120PBF is a power MOSFET transistor with a low on-resistance and high current handling capability. It is designed for use in applications requiring high power and efficiency, such as motor control, power supplies, and inverters. This chip is ideal for high voltage and high current applications due to its low conduction losses and fast switching speed.
Equivalent

Equivalent products to IRLD120PBF chip include IRFD120PBF, IRLD024PBF, and IRS20955S. These chips are also power MOSFETs suitable for various electronic applications requiring high power handling and efficiency.
Features

The IRLD120PBF is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 100V, a continuous drain current of 2.8A, and low on-resistance of 200mΩ. It is designed for use in low-voltage applications, with fast switching speeds and high reliability.
Pinout

IRLD120PBF is a Power MOSFET with a pin count of 3. Its functions include high-speed switching, low power dissipation, and low-voltage control signal compatibility.
Manufacturer

The manufacturer of IRLD120PBF is Infineon Technologies AG. Infineon Technologies AG is a German multinational semiconductor manufacturer. The company specializes in the development and production of semiconductors and system solutions for automotive, industrial, and security applications.
Application Field

IRLD120PBF is commonly used in applications such as power supplies, motor controls, lighting systems, and DC-DC converters. It is suitable for high voltage and current handling properties, making it ideal for various power management applications that require a robust and reliable MOSFET transistor.
Package

The IRLD120PBF chip is a Power MOSFET transistor with a TO-252 package type, also known as D-PAK. It has a small form factor and measures 6.57mm x 6.1mm x 1.5mm in size.