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IRGP35B60PDPBF

Name: IRGP35B60PDPBF
Brand: Infineon
Rating: 4.8 (10 reviews)

IGBT Transistor Chip with N-Channel, 600V Voltage Rating, 60A Current Rating, 308W Power Rating, 3-Pin TO-247AC Package

ブランド: Infineon

製造元部品 #: IRGP35B60PDPBF

データシート: IRGP35B60PDPBF データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

製品の種類: Single IGBTs

RoHS ステータス:

在庫状況: 5,882 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRGP35B60PDPBF 概要

Leveraging advanced trench processing technology, the IRGP35B60PDPBF delivers on both performance and efficiency fronts. Its low switching loss coupled with a high short-circuit current rating makes it a standout option for industrial applications that demand nothing but the best. Whether it's powering uninterruptible power supplies or driving motor control systems, this IGBT is a reliable workhorse that doesn't compromise on quality

特徴

High speed switching capabilities
Silicon-based power electronics component
Laser-diode triggered switching performance
High-frequency voltage regulation applications
Efficient power conversion technology solutions
Compact and reliable power module design

応用

Switching circuits
Wind turbines
Industrial inverters

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	IGBT Transistors	RoHS	Details
Technology	Si	Package / Case	TO-247-3
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	60 A
Pd - Power Dissipation	308 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Brand	Infineon Technologies
Continuous Collector Current Ic Max	60 A	Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Height	20.7 mm	Length	15.87 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	400
Subcategory	IGBTs	Width	5.31 mm
Unit Weight	1.340411 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IRGP35B60PDPBF chip is a power module designed for high-speed switching applications in power electronic systems. It is typically used in applications such as motor drives, inverters, and power supplies. This chip features low conduction and switching losses, high power density, and high efficiency, making it ideal for demanding power control applications.
Equivalent

The equivalent products of IRGP35B60PDPBF chip are IRGP35B60PD, IRG4PC30UD, IRGP35B60-PDPbF, and IRGP35B60PD-E. These are all insulated gate bipolar transistor (IGBT) chips used for high power switching applications in various electronic devices.
Features

1. 600V, 35A Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with freewheeling diode 2. High power efficiency and reliability 3. Low conduction and switching losses 4. Soft switching operation for reduced EMI 5. RoHS compliant and lead-free 6. Suitable for motor drives, UPS, renewable energy systems, and welding applications.
Pinout

The IRGP35B60PDPBF is a 3-phase IGBT module with a pin count of 14. Its functions include providing high switching frequency and low conduction losses, making it ideal for applications requiring high efficiency and reliability in motor control and power conversion systems.
Manufacturer

The manufacturer of the IRGP35B60PDPBF is International Rectifier. International Rectifier is a semiconductor company that specializes in designing, manufacturing, and marketing power semiconductors. They produce a wide range of high-performance power management products for industrial, automotive, consumer electronics, and other industries.
Application Field

The IRGP35B60PDPBF is a high-speed, high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) suitable for applications in power supplies, motor control, renewable energy systems, and industrial automation. Its low saturation voltage and high switching speed make it ideal for high-efficiency and high-power applications requiring fast switching.
Package

The IRGP35B60PDPBF chip is housed in a TO-247AC package with a diode configuration. It has a size of 10.67mm x 26.67mm x 4.57mm (0.420" x 1.050" x 0.180").