注文金額が
$5000vishay IRFD220PBF
N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
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ブランド: Vishay
製造元部品 #: IRFD220PBF
データシート: IRFD220PBF データシート (PDF)
パッケージ/ケース: DIP-4
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
IRFD220PBF 概要
N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
特徴
- Efficient conversion rate
- Low standby power
- High efficiency rating
- Silicon carbide technology
応用
SWITCHING仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | DIP-4 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | Id - Continuous Drain Current: | 800 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 800 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V | Qg - Gate Charge: | 14 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 1.3 W | Channel Mode: | Enhancement |
Series: | IRFD | Packaging: | Tube |
Brand: | Vishay Semiconductors | Configuration: | Single |
Fall Time: | 13 ns | Forward Transconductance - Min: | 0.6 S |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 22 ns |
Factory Pack Quantity: | 2500 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7.2 ns |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The IRFD220PBF is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for applications requiring high power and efficiency. It features a low on-resistance and fast switching capabilities, making it ideal for use in power supplies, motor control, and electronic circuits that require high switching frequency. This chip is manufactured by Infineon Technologies.
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Equivalent
Some equivalent products of IRFD220PBF chip are IRFD110, IRFD120, IRFD210, and IRFD220. These chips are all power MOSFET transistors with similar specifications and characteristics. -
Features
1. N-channel power MOSFET 2. Can handle continuous drain current of 4.8A 3. Low RDS(on) for efficient power delivery 4. Fast switching speed for improved performance 5. Suitable for a wide range of applications including motor control, power supplies, and LED lighting circuits. -
Pinout
IRFD220PBF is a MOSFET transistor with 3 pins: gate, drain, and source. It is commonly used in switching applications due to its high output drive capability and low on-state resistance. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of IRFD220PBF is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is a global company specializing in the design and manufacture of major electronic components, including discrete semiconductors, passive components, and sensors. They serve a wide range of industries such as automotive, industrial, communications, and consumer electronics. -
Application Field
IRFD220PBF is a small signal MOSFET transistor commonly used in applications such as power supplies, motor control, LED lighting, and switching circuits. It is also suitable for use in audio amplifiers and voltage regulation systems due to its high voltage capacity and low on-resistance. -
Package
The IRFD220PBF is a surface mount transistor packaged in a DPAK (TO-252) form. It has a size of 6.6mm x 9.05mm x 2.5mm.
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